2SD1027-7112
Кол-во:
Заказать Доставка: 2-3 недели
|
|||
Название: | 2SD1027-7112 | ||
Описание: | Transistors Darlington V=200 IC=15 HFE=1500 | ||
Производитель: | Shindengen | ||
Спецификация: | |||
Детальное описание компонента 2SD1027-7112 | |||
Конфигурация | Single | Полярность транзистора | NPN |
---|---|---|---|
Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. | 200 V | Напряжение эмиттер-база (VEBO) | 7 V |
Напряжение коллектор-база (VCBO) | 200 V | Максимальный постоянный ток коллектора | 15 A |
Максимальный ток отсечки коллектора | 100 uA | Рассеяние мощности | 100 W |
Максимальная рабочая температура | + 150 C | Вид монтажа | Through Hole |
Упаковка / блок | MTO-3P | Упаковка | Magazine |
Непрерывный коллекторный ток | 15 A | Коллектор постоянного тока/Мин. коэфф. усиления транзистора (hfe) | 1500 |
Размер фабричной упаковки | 35 |
Популярные товары:
Изображение | Название | Производитель | Описание | Спецификация | Кол-во | |
---|---|---|---|---|---|---|
CA10368_Titanum-3-M | Ledil | Линзы для осветительных светодиодов OSRAM DRAGON 4-IN-1 LENS 4 UP | --- |
|
||
BDW63A | Bourns | Transistors Darlington 60W 6A NPN | 9469257.pdf |
|
||
SN74AHC16373DLG4 | Texas Instruments | Защелки Tri-St. 16bit D-Type | 2601393.pdf |
|
||
CY2XL12ZXI03T | --- | RF Semiconductors | --- |
|
||
74CBTD3861DGVRE4 | --- | Коммутационные микросхемы | --- |
|