KSP12TA

KSP12TA
Кол-во:
Заказать
Доставка: 2-3 недели
Название: KSP12TA
Описание: Transistors Darlington NPN Si Transistor Epitaxial Darlington
Производитель: Fairchild Semiconductor
Спецификация:
Детальное описание компонента KSP12TA
Конфигурация Single Полярность транзистора NPN
Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. 20 V Напряжение эмиттер-база (VEBO) 10 V
Максимальный ток отсечки коллектора 0.1 uA Рассеяние мощности 625 mW
Максимальная рабочая температура + 150 C Вид монтажа Through Hole
Упаковка / блок TO-92-3 Kinked Lead Упаковка Ammo
Коллектор постоянного тока/Мин. коэфф. усиления транзистора (hfe) 20000 Размер фабричной упаковки 2000

Популярные товары:

Изображение Название Производитель Описание Спецификация Кол-во  
IXGR50N60B2D1 IXGR50N60B2D1 Ixys Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) 36 Amps 600V 2.0 V Rds 9341234.pdf
25LC160C-E/P 25LC160C-E/P --- Микросхемы памяти ---
UB-6500-TR UB-6500-TR --- Гибкие осветительные полосы ---
AN4240-03-S-HA AN4240-03-S-HA --- Светодиоды высокой мощности ---
3186GH643U030BH2A 3186GH643U030BH2A --- Конденсаторы ---