ESM2012DV

ESM2012DV
Кол-во:
Заказать
Доставка: 2-3 недели
Название: ESM2012DV
Описание: Transistors Darlington NPN Darl Power Mod
Производитель: STMicroelectronics
Спецификация: 9460360.pdf
Детальное описание компонента ESM2012DV
Конфигурация Single Dual Emitter Полярность транзистора NPN
Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. 150 V Напряжение эмиттер-база (VEBO) 7 V
Максимальный постоянный ток коллектора 120 A Максимальная рабочая температура + 150 C
Вид монтажа Through Hole Упаковка / блок ISOTOP
Упаковка Tube Коллектор постоянного тока/Мин. коэфф. усиления транзистора (hfe) 1200
Минимальная рабочая температура - 55 C Размер фабричной упаковки 10

Популярные товары:

Изображение Название Производитель Описание Спецификация Кол-во  
DS2438K DS2438K Maxim Integrated Products Средства разработки интегральных схем (ИС) управления питанием 9747325.pdf
CD74HC4053MG4 CD74HC4053MG4 --- Коммутационные микросхемы ---
C3365/09100 C3365/09100 --- Плоский кабель ---
9954 009100 9954 009100 --- Многожильные кабели и кабели парной скрутки ---
5-1393801-7 5-1393801-7 --- Реле и модули ввода и вывода ---