ESM2012DV

ESM2012DV
Кол-во:
Заказать
Доставка: 2-3 недели
Название: ESM2012DV
Описание: Transistors Darlington NPN Darl Power Mod
Производитель: STMicroelectronics
Спецификация: 9460360.pdf
Детальное описание компонента ESM2012DV
Конфигурация Single Dual Emitter Полярность транзистора NPN
Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. 150 V Напряжение эмиттер-база (VEBO) 7 V
Максимальный постоянный ток коллектора 120 A Максимальная рабочая температура + 150 C
Вид монтажа Through Hole Упаковка / блок ISOTOP
Упаковка Tube Коллектор постоянного тока/Мин. коэфф. усиления транзистора (hfe) 1200
Минимальная рабочая температура - 55 C Размер фабричной упаковки 10

Популярные товары:

Изображение Название Производитель Описание Спецификация Кол-во  
MAX17146EVKIT# MAX17146EVKIT# Maxim Integrated Products Средства разработки интегральных схем (ИС) управления питанием EVKIT for I2C-Programmable Boost with AVDD Switch VDD Buck LVDD Buck HAVDD Buck VON boost VOFF ---
SN74LVC1G373DBVR SN74LVC1G373DBVR Texas Instruments Защелки Sngl D Type Latch 1878453.pdf
PT7715C PT7715C --- Схемы управления питанием ---
140-50S5-821J-RC 140-50S5-821J-RC --- Конденсаторы ---
180-015-113R011 180-015-113R011 --- Субминиатюрные соединители ---