ESM2012DV

ESM2012DV
Кол-во:
Заказать
Доставка: 2-3 недели
Название: ESM2012DV
Описание: Transistors Darlington NPN Darl Power Mod
Производитель: STMicroelectronics
Спецификация: 9460360.pdf
Детальное описание компонента ESM2012DV
Конфигурация Single Dual Emitter Полярность транзистора NPN
Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. 150 V Напряжение эмиттер-база (VEBO) 7 V
Максимальный постоянный ток коллектора 120 A Максимальная рабочая температура + 150 C
Вид монтажа Through Hole Упаковка / блок ISOTOP
Упаковка Tube Коллектор постоянного тока/Мин. коэфф. усиления транзистора (hfe) 1200
Минимальная рабочая температура - 55 C Размер фабричной упаковки 10

Популярные товары:

Изображение Название Производитель Описание Спецификация Кол-во  
TPS2042BEVM-296 TPS2042BEVM-296 Texas Instruments Средства разработки интегральных схем (ИС) переключателей TPS2042BEVM-296 Eval Mod ---
GMA2985C GMA2985C --- Светодиодные дисплеи ---
CY37064P100-200AXC CY37064P100-200AXC --- Программируемые логические интегральные схемы ---
VE-101M0GTR-0505 VE-101M0GTR-0505 --- Конденсаторы ---
STTC-545 STTC-545 --- Инструменты ---