ESM2012DV

ESM2012DV
Кол-во:
Заказать
Доставка: 2-3 недели
Название: ESM2012DV
Описание: Transistors Darlington NPN Darl Power Mod
Производитель: STMicroelectronics
Спецификация: 9460360.pdf
Детальное описание компонента ESM2012DV
Конфигурация Single Dual Emitter Полярность транзистора NPN
Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. 150 V Напряжение эмиттер-база (VEBO) 7 V
Максимальный постоянный ток коллектора 120 A Максимальная рабочая температура + 150 C
Вид монтажа Through Hole Упаковка / блок ISOTOP
Упаковка Tube Коллектор постоянного тока/Мин. коэфф. усиления транзистора (hfe) 1200
Минимальная рабочая температура - 55 C Размер фабричной упаковки 10

Популярные товары:

Изображение Название Производитель Описание Спецификация Кол-во  
RDK-BDC24 RDK-BDC24 Texas Instruments Средства разработки интегральных схем (ИС) управления питанием Stellaris Brushed DC Motor Control Mod 9730698.pdf
SN74AHC374DW SN74AHC374DW Texas Instruments Триггеры Tri-State Octal 6554083.pdf
3150 00200515 3150 00200515 --- Температурные датчики ---
DS1088LU-16/T DS1088LU-16/T --- Контроль частоты и таймеры ---
DS4077L-EC0 DS4077L-EC0 --- Контроль частоты и таймеры ---