ESM2012DV

ESM2012DV
Кол-во:
Заказать
Доставка: 2-3 недели
Название: ESM2012DV
Описание: Transistors Darlington NPN Darl Power Mod
Производитель: STMicroelectronics
Спецификация: 9460360.pdf
Детальное описание компонента ESM2012DV
Конфигурация Single Dual Emitter Полярность транзистора NPN
Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. 150 V Напряжение эмиттер-база (VEBO) 7 V
Максимальный постоянный ток коллектора 120 A Максимальная рабочая температура + 150 C
Вид монтажа Through Hole Упаковка / блок ISOTOP
Упаковка Tube Коллектор постоянного тока/Мин. коэфф. усиления транзистора (hfe) 1200
Минимальная рабочая температура - 55 C Размер фабричной упаковки 10

Популярные товары:

Изображение Название Производитель Описание Спецификация Кол-во  
KA7525B KA7525B --- Схемы управления питанием ---
REF5045AIDG4 REF5045AIDG4 --- Схемы управления питанием ---
LFE2M50E-5F900I LFE2M50E-5F900I --- Программируемые логические интегральные схемы ---
5ZH104MACJI 5ZH104MACJI --- Конденсаторы ---
177200175103005 177200175103005 --- Прямоугольные разъемы ---