2N6668G

2N6668G
Кол-во:
Заказать
Доставка: 2-3 недели
Название: 2N6668G
Описание: Transistors Darlington 10A 80V Bipolar Power PNP
Производитель: ON Semiconductor
Спецификация:
Детальное описание компонента 2N6668G
Конфигурация Single Полярность транзистора PNP
Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. 80 V Напряжение эмиттер-база (VEBO) 5 V
Напряжение коллектор-база (VCBO) 80 V Максимальный постоянный ток коллектора 10 A
Максимальный ток отсечки коллектора 1000 uA Рассеяние мощности 65 W
Максимальная рабочая температура + 150 C Вид монтажа Through Hole
Упаковка / блок TO-220-3 Упаковка Tube
Непрерывный коллекторный ток 10 A Коллектор постоянного тока/Мин. коэфф. усиления транзистора (hfe) 1000
Минимальная рабочая температура - 65 C Размер фабричной упаковки 50

Популярные товары:

Изображение Название Производитель Описание Спецификация Кол-во  
HSC-PH1.5-E2(40) HSC-PH1.5-E2(40) Hirose Connector Волоконно-оптические соединители SC TYP PLG LT-WEIGHT 1.5MM FIBER 5610301.pdf
PN-T100/LCMXO640C PN-T100/LCMXO640C Lattice Панели и адаптеры 100-P TQFP Skt Adp L CMXO640C 625787.pdf
ALD2332ASAL ALD2332ASAL Advanced Linear Devices ИС, компараторы Series Volt Cmpartrs 9474362.pdf
25AA040/SN 25AA040/SN --- Микросхемы памяти ---
MAX6441KAFIWD3+T MAX6441KAFIWD3+T --- Схемы управления питанием ---