2N6668G

2N6668G
Кол-во:
Заказать
Доставка: 2-3 недели
Название: 2N6668G
Описание: Transistors Darlington 10A 80V Bipolar Power PNP
Производитель: ON Semiconductor
Спецификация:
Детальное описание компонента 2N6668G
Конфигурация Single Полярность транзистора PNP
Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. 80 V Напряжение эмиттер-база (VEBO) 5 V
Напряжение коллектор-база (VCBO) 80 V Максимальный постоянный ток коллектора 10 A
Максимальный ток отсечки коллектора 1000 uA Рассеяние мощности 65 W
Максимальная рабочая температура + 150 C Вид монтажа Through Hole
Упаковка / блок TO-220-3 Упаковка Tube
Непрерывный коллекторный ток 10 A Коллектор постоянного тока/Мин. коэфф. усиления транзистора (hfe) 1000
Минимальная рабочая температура - 65 C Размер фабричной упаковки 50

Популярные товары:

Изображение Название Производитель Описание Спецификация Кол-во  
HRFC-P8-R2(40) HRFC-P8-R2(40) Hirose Connector Волоконно-оптические соединители FIBER OPTIC CONN 5779483.pdf
SN74GTLPH3245GKFR SN74GTLPH3245GKFR Texas Instruments Трансляция - уровни напряжения Dual 4-Ch Analog Mltplxr/Demltplxr 5424595.pdf
NYS228GT NYS228GT --- Аудио и видео разъемы ---
38540-3809 38540-3809 --- Прямоугольные разъемы ---
1418C8 1418C8 --- Electrical Enclosures ---