2N6668G

2N6668G
Кол-во:
Заказать
Доставка: 2-3 недели
Название: 2N6668G
Описание: Transistors Darlington 10A 80V Bipolar Power PNP
Производитель: ON Semiconductor
Спецификация:
Детальное описание компонента 2N6668G
Конфигурация Single Полярность транзистора PNP
Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. 80 V Напряжение эмиттер-база (VEBO) 5 V
Напряжение коллектор-база (VCBO) 80 V Максимальный постоянный ток коллектора 10 A
Максимальный ток отсечки коллектора 1000 uA Рассеяние мощности 65 W
Максимальная рабочая температура + 150 C Вид монтажа Through Hole
Упаковка / блок TO-220-3 Упаковка Tube
Непрерывный коллекторный ток 10 A Коллектор постоянного тока/Мин. коэфф. усиления транзистора (hfe) 1000
Минимальная рабочая температура - 65 C Размер фабричной упаковки 50

Популярные товары:

Изображение Название Производитель Описание Спецификация Кол-во  
PLN-60-15 PLN-60-15 --- LED Drivers Power Supplies ---
GBU4D GBU4D Fairchild Semiconductor Мостовые выпрямители 4A Bridge Rectifier 2711470.pdf2711522.pdf
IRKT91/06S90P IRKT91/06S90P Vishay Semiconductors Модули КТУ (SCR) 600 Volt 95 Amp ---
CY74FCT373CTSOCT CY74FCT373CTSOCT Texas Instruments Защелки Octal Transp D-Type Защелки 3175357.pdf
CY7C1425KV18-250BZXC CY7C1425KV18-250BZXC --- Микросхемы памяти ---