MJF6668G

MJF6668G
Кол-во:
Заказать
Доставка: 2-3 недели
Название: MJF6668G
Описание: Transistors Darlington 10A 100V Bipolar Power PNP
Производитель: ON Semiconductor
Спецификация:
Детальное описание компонента MJF6668G
Конфигурация Single Полярность транзистора PNP
Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. 100 V Напряжение эмиттер-база (VEBO) 10 V
Напряжение коллектор-база (VCBO) 30 V Максимальный постоянный ток коллектора 10 A
Максимальный ток отсечки коллектора 10 uA Рассеяние мощности 40 W
Максимальная рабочая температура + 150 C Вид монтажа Through Hole
Упаковка / блок TO-220-3 Fullpak Упаковка Tube
Непрерывный коллекторный ток 10 A Коллектор постоянного тока/Мин. коэфф. усиления транзистора (hfe) 100, 1000, 200, 3000
Минимальная рабочая температура - 65 C Размер фабричной упаковки 50

Популярные товары:

Изображение Название Производитель Описание Спецификация Кол-во  
RS1J-E3/1T RS1J-E3/1T Vishay/Dale Диоды (общего назначения, силовые, импульсные) 600 Volt 1.0A 250ns 30 Amp IFSM 4014130.pdf
Si5367B-C-GQ Si5367B-C-GQ Silicon Labs Тактовый синтезатор/устройство подавления колебаний uP-PROGRAMMABE CLK MULT 10 MHZ-808 MHZ 6563319.pdf
XPEBLU-L1-0000-00205 XPEBLU-L1-0000-00205 --- Светодиоды высокой мощности ---
UC2709DW UC2709DW --- Схемы управления питанием ---
10033526-N3222LF 10033526-N3222LF --- USB-коннекторы ---