MJF6668G

MJF6668G
Кол-во:
Заказать
Доставка: 2-3 недели
Название: MJF6668G
Описание: Transistors Darlington 10A 100V Bipolar Power PNP
Производитель: ON Semiconductor
Спецификация:
Детальное описание компонента MJF6668G
Конфигурация Single Полярность транзистора PNP
Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. 100 V Напряжение эмиттер-база (VEBO) 10 V
Напряжение коллектор-база (VCBO) 30 V Максимальный постоянный ток коллектора 10 A
Максимальный ток отсечки коллектора 10 uA Рассеяние мощности 40 W
Максимальная рабочая температура + 150 C Вид монтажа Through Hole
Упаковка / блок TO-220-3 Fullpak Упаковка Tube
Непрерывный коллекторный ток 10 A Коллектор постоянного тока/Мин. коэфф. усиления транзистора (hfe) 100, 1000, 200, 3000
Минимальная рабочая температура - 65 C Размер фабричной упаковки 50

Популярные товары:

Изображение Название Производитель Описание Спецификация Кол-во  
MAX5484ETE+ MAX5484ETE+ Maxim Integrated Products ИС, цифровые потенциометры 10-Bit Nonvolatile Linear-Taper 5029425.pdf
MF3ICD4001DW/V406 MF3ICD4001DW/V406 --- RF Semiconductors ---
XTEHVW-Q2-0000-00000L8E6 XTEHVW-Q2-0000-00000L8E6 --- Светодиоды высокой мощности ---
B43564A9478M000 B43564A9478M000 --- Конденсаторы ---
09670019928 09670019928 --- Субминиатюрные соединители ---