MJD117
|
Кол-во:
Заказать Доставка: 2-3 недели
|
||
| Название: | MJD117 | ||
| Описание: | Transistors Darlington 2A 100V Bipolar | ||
| Производитель: | ON Semiconductor | ||
| Спецификация: | |||
| Детальное описание компонента MJD117 | |||
| Конфигурация | Single | Полярность транзистора | PNP |
|---|---|---|---|
| Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. | 100 V | Напряжение эмиттер-база (VEBO) | 5 V |
| Напряжение коллектор-база (VCBO) | 100 V | Максимальный постоянный ток коллектора | 4 A |
| Максимальный ток отсечки коллектора | 20 uA | Рассеяние мощности | 20 W |
| Максимальная рабочая температура | + 150 C | Вид монтажа | SMD/SMT |
| Упаковка / блок | DPAK | Упаковка | Tube |
| Непрерывный коллекторный ток | 2 A | Коллектор постоянного тока/Мин. коэфф. усиления транзистора (hfe) | 500 at 0.5 A at 3 V, 1000 at 2 A at 3 V, 200 at 4 A at 3 V |
| Минимальная рабочая температура | - 65 C | Размер фабричной упаковки | 75 |
Популярные товары:
| Изображение | Название | Производитель | Описание | Спецификация | Кол-во | |
|---|---|---|---|---|---|---|
 |
DD151N20K | Infineon Technologies | Дискретные полупроводниковые модули 2000V 240A | --- |
|
|
 |
J175_Q | Fairchild Semiconductor | JFET P-Channel Switch | 9372245.pdf |
|
|
 |
PTFA192001E V4 R250 | Infineon Technologies | РЧ транзисторы, МОП-структура Hi Pwr RF LDMOS FET 200 W 1930-1990 MHz | --- |
|
|
 |
MCP4132-502E/MS | Microchip Technology | ИС, цифровые потенциометры Digital Pot 128 step SPI Sngl Ch | 4986179.pdf |
|
|
|
|
MAX16024LTBV+T | --- | Схемы управления питанием | --- |
|