MJ11012

MJ11012
Кол-во:
Заказать
Доставка: 2-3 недели
Название: MJ11012
Описание: Transistors Darlington 30A 60V Bipolar
Производитель: ON Semiconductor
Спецификация:
Детальное описание компонента MJ11012
Конфигурация Single Полярность транзистора NPN
Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. 60 V Напряжение эмиттер-база (VEBO) 5 V
Напряжение коллектор-база (VCBO) 60 V Максимальный постоянный ток коллектора 30 A
Рассеяние мощности 200 W Максимальная рабочая температура + 200 C
Вид монтажа Through Hole Упаковка / блок TO-204
Упаковка Tray Непрерывный коллекторный ток 30 A
Коллектор постоянного тока/Мин. коэфф. усиления транзистора (hfe) 200 at 30 A at 5 V, 1000 at 20 A at 5 V Минимальная рабочая температура - 55 C
Размер фабричной упаковки 100

Популярные товары:

Изображение Название Производитель Описание Спецификация Кол-во  
BAS521LP-7 BAS521LP-7 Diodes Inc. Диоды (общего назначения, силовые, импульсные) HI VOLT SW DIODES 400V 3597643.pdf
MAX5202AEUB+T MAX5202AEUB+T Maxim Integrated Products ЦАП (цифро-аналоговые преобразователи) 16Bit DAC w/Int Reference 1352360.pdf
HFBR-53A3VFM HFBR-53A3VFM Avago Technologies Волоконно-оптические передатчики, приемники, трансиверы MM 1X9 3V FC Txcvr w ith Flush Shld ---
CAT24C01VP2I-GT3 CAT24C01VP2I-GT3 --- Микросхемы памяти ---
MC74LVX8053DR2 MC74LVX8053DR2 --- Коммутационные микросхемы ---