MJD112RL

MJD112RL
Кол-во:
Заказать
Доставка: 2-3 недели
Название: MJD112RL
Описание: Transistors Darlington 2A 100V Bipolar
Производитель: ON Semiconductor
Спецификация:
Детальное описание компонента MJD112RL
Конфигурация Single Полярность транзистора NPN
Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. 100 V Напряжение эмиттер-база (VEBO) 5 V
Напряжение коллектор-база (VCBO) 100 V Максимальный постоянный ток коллектора 4 A
Максимальный ток отсечки коллектора 20 uA Рассеяние мощности 20 W
Максимальная рабочая температура + 150 C Вид монтажа SMD/SMT
Упаковка / блок DPAK Упаковка Reel
Непрерывный коллекторный ток 2 A Коллектор постоянного тока/Мин. коэфф. усиления транзистора (hfe) 500 at 0.5 A at 3 V, 1000 at 2 A at 3 V, 200 at 4 A at 3 V
Минимальная рабочая температура - 65 C Размер фабричной упаковки 1800

Популярные товары:

Изображение Название Производитель Описание Спецификация Кол-во  
COP472WM-3/63 COP472WM-3/63 National Semiconductor (TI) Display Drivers 3801091.pdf
LM2733YEVAL/NOPB LM2733YEVAL/NOPB National Semiconductor (TI) Средства разработки интегральных схем (ИС) управления питанием LM2733Y EVAL BOARD 9740195.pdf
TLVH431BQDCKRE4 TLVH431BQDCKRE4 --- Схемы управления питанием ---
B57164S203F B57164S203F --- Термисторы – отрицательный температурный коэффициент ---
CNX461BTPE024124 CNX461BTPE024124 --- Светодиодная индикация ---