MJD112RL

MJD112RL
Кол-во:
Заказать
Доставка: 2-3 недели
Название: MJD112RL
Описание: Transistors Darlington 2A 100V Bipolar
Производитель: ON Semiconductor
Спецификация:
Детальное описание компонента MJD112RL
Конфигурация Single Полярность транзистора NPN
Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. 100 V Напряжение эмиттер-база (VEBO) 5 V
Напряжение коллектор-база (VCBO) 100 V Максимальный постоянный ток коллектора 4 A
Максимальный ток отсечки коллектора 20 uA Рассеяние мощности 20 W
Максимальная рабочая температура + 150 C Вид монтажа SMD/SMT
Упаковка / блок DPAK Упаковка Reel
Непрерывный коллекторный ток 2 A Коллектор постоянного тока/Мин. коэфф. усиления транзистора (hfe) 500 at 0.5 A at 3 V, 1000 at 2 A at 3 V, 200 at 4 A at 3 V
Минимальная рабочая температура - 65 C Размер фабричной упаковки 1800

Популярные товары:

Изображение Название Производитель Описание Спецификация Кол-во  
TISP4115M3LM-S TISP4115M3LM-S Bourns Сидаки Single bidirectional protector ---
MAX6441KAKSVD3+T MAX6441KAKSVD3+T --- Схемы управления питанием ---
BD9111NV-E2 BD9111NV-E2 --- Схемы управления питанием ---
HLMP-EL12-VY0DD HLMP-EL12-VY0DD --- Светодиодная индикация ---
HOA0882-L55 HOA0882-L55 --- Фотопрерыватели ---