MJ11013

MJ11013
Кол-во:
Заказать
Доставка: 2-3 недели
Название: MJ11013
Описание: Transistors Darlington PNP Power
Производитель: Central Semiconductor
Спецификация:
Детальное описание компонента MJ11013
Конфигурация Single Полярность транзистора PNP
Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. 90 V Напряжение эмиттер-база (VEBO) - 5 V
Напряжение коллектор-база (VCBO) 90 V Максимальный постоянный ток коллектора 30 A
Рассеяние мощности 200 W Вид монтажа Through Hole
Упаковка / блок TO-3 Упаковка Sleeve
Коллектор постоянного тока/Мин. коэфф. усиления транзистора (hfe) 1000 Размер фабричной упаковки 80

Популярные товары:

Изображение Название Производитель Описание Спецификация Кол-во  
SSB-COB10018I SSB-COB10018I Lumex Светодиодная подсветка 100x18mm B/L Disp 38 Red Chips 635nm 3770551.pdf
LP3996SD-2828EV LP3996SD-2828EV National Semiconductor (TI) Средства разработки интегральных схем (ИС) управления питанием LP3996SD-2828 EVAL BOARD 9744130.pdf
AP-SAFD254QA128GS-HT AP-SAFD254QA128GS-HT Apacer Твердотельные накопители (SSD) SAFD 254 SATA FLASH DRIVE SLC 128GB STD 1773294.pdf
SN74LVC2G02DCUTG4 SN74LVC2G02DCUTG4 Texas Instruments Вентили (И / И НЕ / ИЛИ / ИЛИ НЕ) Dual 2-Input Pos- NOR Gate 8246830.pdf
AT24C256BW-SH-B AT24C256BW-SH-B --- Микросхемы памяти ---