2SB1316TL

2SB1316TL
Кол-во:
Заказать
Доставка: 2-3 недели
Название: 2SB1316TL
Описание: Transistors Darlington D-PACK BCE PNP DARL SMT
Производитель: ROHM Semiconductor
Спецификация:
Детальное описание компонента 2SB1316TL
Конфигурация Single Полярность транзистора PNP
Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. 100 V Напряжение эмиттер-база (VEBO) 8 V
Напряжение коллектор-база (VCBO) 100 V Максимальный постоянный ток коллектора 2 A
Максимальный ток отсечки коллектора 10 uA Рассеяние мощности 1 W
Максимальная рабочая температура + 150 C Вид монтажа SMD/SMT
Упаковка / блок SC-63 Упаковка Reel
Непрерывный коллекторный ток - 2 A Коллектор постоянного тока/Мин. коэфф. усиления транзистора (hfe) 1000
Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания (fT) 50 MHz Размер фабричной упаковки 2500

Популярные товары:

Изображение Название Производитель Описание Спецификация Кол-во  
UCD90124EVM UCD90124EVM Texas Instruments Средства разработки интегральных схем (ИС) управления питанием UCD90124 Eval Mod 9747322.pdf
USB-USBH-SM9160-P-P1-PTFM USB-USBH-SM9160-P-P1-PTFM Micrium Программное обеспечение для разработки uC/USB Host Core on Atmel AT91SAM916 PL 9267755.pdf
NNDK-SBL2e-KIT NNDK-SBL2e-KIT NetBurner Средства разработки сетей Ethernet Development Kit For SBL2e 778832.pdf
DP83848J-MAU-EK DP83848J-MAU-EK National Semiconductor (TI) Средства разработки сетей Ethernet PHYTER MINI EVAL BOARD 780928.pdf
MCP1604-ADJI/UN MCP1604-ADJI/UN --- Схемы управления питанием ---