2SB1316TL

2SB1316TL
Кол-во:
Заказать
Доставка: 2-3 недели
Название: 2SB1316TL
Описание: Transistors Darlington D-PACK BCE PNP DARL SMT
Производитель: ROHM Semiconductor
Спецификация:
Детальное описание компонента 2SB1316TL
Конфигурация Single Полярность транзистора PNP
Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. 100 V Напряжение эмиттер-база (VEBO) 8 V
Напряжение коллектор-база (VCBO) 100 V Максимальный постоянный ток коллектора 2 A
Максимальный ток отсечки коллектора 10 uA Рассеяние мощности 1 W
Максимальная рабочая температура + 150 C Вид монтажа SMD/SMT
Упаковка / блок SC-63 Упаковка Reel
Непрерывный коллекторный ток - 2 A Коллектор постоянного тока/Мин. коэфф. усиления транзистора (hfe) 1000
Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания (fT) 50 MHz Размер фабричной упаковки 2500

Популярные товары:

Изображение Название Производитель Описание Спецификация Кол-во  
USB-USBH-SAM9XX-P-P1-PDLN USB-USBH-SAM9XX-P-P1-PDLN Micrium Программное обеспечение для разработки uC/USB Host Core on Atmel AT91SAM9x PLL 9255718.pdf
T553N70TOH T553N70TOH Infineon Technologies Комплектные тиристорные устройства (SCR) PCT 7000V 550A ---
74HC163D,653 74HC163D,653 NXP Semiconductors ИС, счетчики SYNC 4-BIT BINARY 9573653.pdf
CLK03P050F17 CLK03P050F17 --- Конденсаторы ---
GP-25182-J-C GP-25182-J-C --- Комплектующие для испытательного оборудования ---