MJD112RLG

MJD112RLG
Кол-во:
Заказать
Доставка: 2-3 недели
Название: MJD112RLG
Описание: Transistors Darlington 2A 100V Bipolar Power NPN
Производитель: ON Semiconductor
Спецификация:
Детальное описание компонента MJD112RLG
Конфигурация Single Полярность транзистора NPN
Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. 100 V Напряжение эмиттер-база (VEBO) 5 V
Напряжение коллектор-база (VCBO) 100 V Максимальный постоянный ток коллектора 2 A
Максимальный ток отсечки коллектора 20 uA Рассеяние мощности 20 W
Максимальная рабочая температура + 150 C Вид монтажа SMD/SMT
Упаковка / блок TO-252-3 (DPAK) Упаковка Reel
Непрерывный коллекторный ток 2 A Коллектор постоянного тока/Мин. коэфф. усиления транзистора (hfe) 200, 500, 1000
Минимальная рабочая температура - 65 C Размер фабричной упаковки 1800

Популярные товары:

Изображение Название Производитель Описание Спецификация Кол-во  
PDTA124TT T/R PDTA124TT T/R NXP Semiconductors Transistors Switching (Resistor Biased) PNP W/RES 50V 9201186.pdf
NJM13700M-TE1 NJM13700M-TE1 NJR Транскондуктивные усилители Dual ---
MAX5934AEEE-T MAX5934AEEE-T --- Схемы управления питанием ---
IR3316STRLPBF IR3316STRLPBF --- Схемы управления питанием ---
MC1496BDG MC1496BDG --- RF Semiconductors ---