MJD112RLG
Кол-во:
Заказать Доставка: 2-3 недели
|
|||
Название: | MJD112RLG | ||
Описание: | Transistors Darlington 2A 100V Bipolar Power NPN | ||
Производитель: | ON Semiconductor | ||
Спецификация: | |||
Детальное описание компонента MJD112RLG | |||
Конфигурация | Single | Полярность транзистора | NPN |
---|---|---|---|
Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. | 100 V | Напряжение эмиттер-база (VEBO) | 5 V |
Напряжение коллектор-база (VCBO) | 100 V | Максимальный постоянный ток коллектора | 2 A |
Максимальный ток отсечки коллектора | 20 uA | Рассеяние мощности | 20 W |
Максимальная рабочая температура | + 150 C | Вид монтажа | SMD/SMT |
Упаковка / блок | TO-252-3 (DPAK) | Упаковка | Reel |
Непрерывный коллекторный ток | 2 A | Коллектор постоянного тока/Мин. коэфф. усиления транзистора (hfe) | 200, 500, 1000 |
Минимальная рабочая температура | - 65 C | Размер фабричной упаковки | 1800 |
Популярные товары:
Изображение | Название | Производитель | Описание | Спецификация | Кол-во | |
---|---|---|---|---|---|---|
LMV1015UR-15/NOPB | National Semiconductor (TI) | Усилители звука | 3510202.pdf |
|
||
74ACTQ04SJ_Q | Fairchild Semiconductor | Инвертеры Hex Inverter | 1651526.pdf |
|
||
SN74LV123ADBRG4 | Texas Instruments | Ждущий мультивибратор Dual Retriggerable Mono Multivibrators | 3789104.pdf |
|
||
IS61LV256-15JL | --- | Микросхемы памяти | --- |
|
||
BGA2803,115 | --- | RF Semiconductors | --- |
|