MJD112RLG

MJD112RLG
Кол-во:
Заказать
Доставка: 2-3 недели
Название: MJD112RLG
Описание: Transistors Darlington 2A 100V Bipolar Power NPN
Производитель: ON Semiconductor
Спецификация:
Детальное описание компонента MJD112RLG
Конфигурация Single Полярность транзистора NPN
Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. 100 V Напряжение эмиттер-база (VEBO) 5 V
Напряжение коллектор-база (VCBO) 100 V Максимальный постоянный ток коллектора 2 A
Максимальный ток отсечки коллектора 20 uA Рассеяние мощности 20 W
Максимальная рабочая температура + 150 C Вид монтажа SMD/SMT
Упаковка / блок TO-252-3 (DPAK) Упаковка Reel
Непрерывный коллекторный ток 2 A Коллектор постоянного тока/Мин. коэфф. усиления транзистора (hfe) 200, 500, 1000
Минимальная рабочая температура - 65 C Размер фабричной упаковки 1800

Популярные товары:

Изображение Название Производитель Описание Спецификация Кол-во  
MAX4014EUK+T MAX4014EUK+T Maxim Integrated Products Средства разработки интегральных схем (ИС) усилителей High-Speed Single Supply 9214134.pdf
MAX4187EEE-T MAX4187EEE-T Maxim Integrated Products Видеоусилители 2692316.pdf
TLV3401IDR TLV3401IDR Texas Instruments ИС, компараторы Single Nanopower Open Drain Output 9506276.pdf
SSF-LXH240GGD-175 SSF-LXH240GGD-175 --- Светодиодная индикация ---
C513A-MSS-CW0Y0232 C513A-MSS-CW0Y0232 --- Светодиодная индикация ---