MJD112RLG

MJD112RLG
Кол-во:
Заказать
Доставка: 2-3 недели
Название: MJD112RLG
Описание: Transistors Darlington 2A 100V Bipolar Power NPN
Производитель: ON Semiconductor
Спецификация:
Детальное описание компонента MJD112RLG
Конфигурация Single Полярность транзистора NPN
Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. 100 V Напряжение эмиттер-база (VEBO) 5 V
Напряжение коллектор-база (VCBO) 100 V Максимальный постоянный ток коллектора 2 A
Максимальный ток отсечки коллектора 20 uA Рассеяние мощности 20 W
Максимальная рабочая температура + 150 C Вид монтажа SMD/SMT
Упаковка / блок TO-252-3 (DPAK) Упаковка Reel
Непрерывный коллекторный ток 2 A Коллектор постоянного тока/Мин. коэфф. усиления транзистора (hfe) 200, 500, 1000
Минимальная рабочая температура - 65 C Размер фабричной упаковки 1800

Популярные товары:

Изображение Название Производитель Описание Спецификация Кол-во  
LMV1015UR-15/NOPB LMV1015UR-15/NOPB National Semiconductor (TI) Усилители звука 3510202.pdf
74ACTQ04SJ_Q 74ACTQ04SJ_Q Fairchild Semiconductor Инвертеры Hex Inverter 1651526.pdf
SN74LV123ADBRG4 SN74LV123ADBRG4 Texas Instruments Ждущий мультивибратор Dual Retriggerable Mono Multivibrators 3789104.pdf
IS61LV256-15JL IS61LV256-15JL --- Микросхемы памяти ---
BGA2803,115 BGA2803,115 --- RF Semiconductors ---