MJD112RLG

MJD112RLG
Кол-во:
Заказать
Доставка: 2-3 недели
Название: MJD112RLG
Описание: Transistors Darlington 2A 100V Bipolar Power NPN
Производитель: ON Semiconductor
Спецификация:
Детальное описание компонента MJD112RLG
Конфигурация Single Полярность транзистора NPN
Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. 100 V Напряжение эмиттер-база (VEBO) 5 V
Напряжение коллектор-база (VCBO) 100 V Максимальный постоянный ток коллектора 2 A
Максимальный ток отсечки коллектора 20 uA Рассеяние мощности 20 W
Максимальная рабочая температура + 150 C Вид монтажа SMD/SMT
Упаковка / блок TO-252-3 (DPAK) Упаковка Reel
Непрерывный коллекторный ток 2 A Коллектор постоянного тока/Мин. коэфф. усиления транзистора (hfe) 200, 500, 1000
Минимальная рабочая температура - 65 C Размер фабричной упаковки 1800

Популярные товары:

Изображение Название Производитель Описание Спецификация Кол-во  
THS4022CDGNR THS4022CDGNR Texas Instruments Быстродействующие операционные усилители 350-MHz Low-Noise Vltg-Feedback Dual 940567.pdf
74CBT162292DLRG4 74CBT162292DLRG4 Texas Instruments Кодеры, декодеры, мультиплексоры и демультиплексоры 12B 1-To-2 FET Multipl/Demultipl 3937466.pdf
MC100ELT20DT MC100ELT20DT ON Semiconductor Трансляция - уровни напряжения 5V TTL to Diff PECL ---
IS62WV6416DBLL-45BLI IS62WV6416DBLL-45BLI --- Микросхемы памяти ---
TPS2115AIPWRQ1 TPS2115AIPWRQ1 --- Коммутационные микросхемы ---