BD651-S
|
Кол-во:
Заказать Доставка: 2-3 недели
|
||
| Название: | BD651-S | ||
| Описание: | Transistors Darlington 120V 8A NPN | ||
| Производитель: | Bourns | ||
| Спецификация: | 9437887.pdf | ||
| Детальное описание компонента BD651-S | |||
| Конфигурация | Single | Полярность транзистора | NPN |
|---|---|---|---|
| Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. | 120 V | Напряжение эмиттер-база (VEBO) | 5 V |
| Напряжение коллектор-база (VCBO) | 140 V | Максимальный постоянный ток коллектора | 8 A |
| Максимальный ток отсечки коллектора | 500 uA | Максимальная рабочая температура | + 150 C |
| Вид монтажа | Through Hole | Упаковка / блок | TO-220 |
| Упаковка | Reel | Коллектор постоянного тока/Мин. коэфф. усиления транзистора (hfe) | 750 |
| Минимальная рабочая температура | - 65 C | Размер фабричной упаковки | 15000 |
Популярные товары:
| Изображение | Название | Производитель | Описание | Спецификация | Кол-во | |
|---|---|---|---|---|---|---|
 |
Si2404FT10-EVB | Silicon Labs | Средства разработки сетей 24-pinSi2404+Si3010 ISOmodem Eval Board | 815056.pdf |
|
|
|
|
IXGC12N60C | Ixys | Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) 15 Amps 600 V 2.7 V Rds | --- |
|
|
|
|
93AA86BT-I/SN | --- | Микросхемы памяти | --- |
|
|
|
|
S-80815CNNB-B8AT2G | --- | Схемы управления питанием | --- |
|
|
|
|
MX6SWT-H1-R250-0009AA | --- | Светодиоды высокой мощности | --- |
|