MJ11030G

MJ11030G
Кол-во:
Заказать
Доставка: 2-3 недели
Название: MJ11030G
Описание: Transistors Darlington BIP NPN 50A 90V FG
Производитель: ON Semiconductor
Спецификация:
Детальное описание компонента MJ11030G
Конфигурация Single Полярность транзистора NPN
Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. 90 V Напряжение эмиттер-база (VEBO) 5 V
Напряжение коллектор-база (VCBO) 90 V Максимальный постоянный ток коллектора 50 A
Максимальная рабочая температура + 200 C Вид монтажа Through Hole
Упаковка / блок TO-204 Упаковка Tray
Коллектор постоянного тока/Мин. коэфф. усиления транзистора (hfe) 400 at 50 A at 5 V, 1000 at 25 A at 5 V Минимальная рабочая температура - 55 C
Размер фабричной упаковки 100

Популярные товары:

Изображение Название Производитель Описание Спецификация Кол-во  
ADS8322EVM ADS8322EVM Texas Instruments Средства разработки интегральных схем (ИС) преобразования данных ADS8322 Eval Mod ---
RI-K3A-001A-00 RI-K3A-001A-00 Texas Instruments Комплектующие для RFID-передатчиков Series 2000 LF Micro RFID EVal Kit 1117341.pdf1117368.pdf
AT17LV040-10TQI AT17LV040-10TQI --- Микросхемы памяти ---
M29W320DT90N6 M29W320DT90N6 --- Микросхемы памяти ---
TPS2055D TPS2055D --- Коммутационные микросхемы ---