MJ11030G

MJ11030G
Кол-во:
Заказать
Доставка: 2-3 недели
Название: MJ11030G
Описание: Transistors Darlington BIP NPN 50A 90V FG
Производитель: ON Semiconductor
Спецификация:
Детальное описание компонента MJ11030G
Конфигурация Single Полярность транзистора NPN
Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. 90 V Напряжение эмиттер-база (VEBO) 5 V
Напряжение коллектор-база (VCBO) 90 V Максимальный постоянный ток коллектора 50 A
Максимальная рабочая температура + 200 C Вид монтажа Through Hole
Упаковка / блок TO-204 Упаковка Tray
Коллектор постоянного тока/Мин. коэфф. усиления транзистора (hfe) 400 at 50 A at 5 V, 1000 at 25 A at 5 V Минимальная рабочая температура - 55 C
Размер фабричной упаковки 100

Популярные товары:

Изображение Название Производитель Описание Спецификация Кол-во  
BFR92A,235 BFR92A,235 NXP Semiconductors РЧ транзисторы, биполярные, малого сигнала Single NPN 15V 25mA 300mW 65 5GHz 5338597.pdf
MAX3535ECWI MAX3535ECWI Maxim Integrated Products ИС интерфейса RS-422/RS-485 5933442.pdf
74LV573DB-T 74LV573DB-T NXP Semiconductors Защелки OCTAL TRANSPARANT LATCH 2955182.pdf
09232326824 09232326824 --- Прямоугольные разъемы ---
0817154 0817154 --- Средства маркировки и укладки проводов и кабелей ---