MJ11030G

MJ11030G
Кол-во:
Заказать
Доставка: 2-3 недели
Название: MJ11030G
Описание: Transistors Darlington BIP NPN 50A 90V FG
Производитель: ON Semiconductor
Спецификация:
Детальное описание компонента MJ11030G
Конфигурация Single Полярность транзистора NPN
Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. 90 V Напряжение эмиттер-база (VEBO) 5 V
Напряжение коллектор-база (VCBO) 90 V Максимальный постоянный ток коллектора 50 A
Максимальная рабочая температура + 200 C Вид монтажа Through Hole
Упаковка / блок TO-204 Упаковка Tray
Коллектор постоянного тока/Мин. коэфф. усиления транзистора (hfe) 400 at 50 A at 5 V, 1000 at 25 A at 5 V Минимальная рабочая температура - 55 C
Размер фабричной упаковки 100

Популярные товары:

Изображение Название Производитель Описание Спецификация Кол-во  
MAX3657ETC MAX3657ETC Maxim Integrated Products Трансимпедансные усилители ---
CDC857-2DGGR CDC857-2DGGR Texas Instruments Синхронизаторы и распределители тактового сигнала Phase-Lock Loop Clock Drivers 6257253.pdf
MC10H106MG MC10H106MG ON Semiconductor Вентили (И / И НЕ / ИЛИ / ИЛИ НЕ) Triple 4-3-3 Input NOR ---
ILD256T ILD256T --- Оптопары и оптроны ---
TXD2SS-L-1.5V TXD2SS-L-1.5V --- Реле и модули ввода и вывода ---