BD649-S

BD649-S
Кол-во:
Заказать
Доставка: 2-3 недели
Название: BD649-S
Описание: Transistors Darlington 100V 8A NPN
Производитель: Bourns
Спецификация: 9435100.pdf
Детальное описание компонента BD649-S
Конфигурация Single Полярность транзистора NPN
Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. 100 V Напряжение эмиттер-база (VEBO) 5 V
Напряжение коллектор-база (VCBO) 120 V Максимальный постоянный ток коллектора 8 A
Максимальный ток отсечки коллектора 200 uA Максимальная рабочая температура + 150 C
Вид монтажа Through Hole Упаковка / блок TO-220
Упаковка Reel Коллектор постоянного тока/Мин. коэфф. усиления транзистора (hfe) 750
Минимальная рабочая температура - 65 C Размер фабричной упаковки 15000

Популярные товары:

Изображение Название Производитель Описание Спецификация Кол-во  
LMH730154/NOPB LMH730154/NOPB National Semiconductor (TI) Средства разработки интегральных схем (ИС) усилителей LMH730154 EVAL BOARD 9030208.pdf
TRF371109EVM TRF371109EVM Texas Instruments Радиочастотные средства разработки TRF371109 Eval Mod 917948.pdf
MAX3747EUB MAX3747EUB Maxim Integrated Products Ограничивающие усилители 155-3.2Gbps SFP 1691077.pdf
TPA731D TPA731D Texas Instruments Усилители звука 700mW Low V 2910620.pdf
PMR4HDW12.0 PMR4HDW12.0 --- Светодиодная индикация ---