BD649-S

BD649-S
Кол-во:
Заказать
Доставка: 2-3 недели
Название: BD649-S
Описание: Transistors Darlington 100V 8A NPN
Производитель: Bourns
Спецификация: 9435100.pdf
Детальное описание компонента BD649-S
Конфигурация Single Полярность транзистора NPN
Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. 100 V Напряжение эмиттер-база (VEBO) 5 V
Напряжение коллектор-база (VCBO) 120 V Максимальный постоянный ток коллектора 8 A
Максимальный ток отсечки коллектора 200 uA Максимальная рабочая температура + 150 C
Вид монтажа Through Hole Упаковка / блок TO-220
Упаковка Reel Коллектор постоянного тока/Мин. коэфф. усиления транзистора (hfe) 750
Минимальная рабочая температура - 65 C Размер фабричной упаковки 15000

Популярные товары:

Изображение Название Производитель Описание Спецификация Кол-во  
TRS3221EIDB TRS3221EIDB Texas Instruments ИС, интерфейс RS-232 3V-5.5V Sgl-Channel RS232 Line Drvr/Rcvr 5086846.pdf
MAX6439UTEHWD3+T MAX6439UTEHWD3+T --- Схемы управления питанием ---
MAX4712ESE-T MAX4712ESE-T --- Коммутационные микросхемы ---
4420.0335 4420.0335 --- Автоматические выключатели ---
913-795 913-795 --- Светодиодная индикация ---