BSP52T3G

BSP52T3G
Кол-во:
Заказать
Доставка: 2-3 недели
Название: BSP52T3G
Описание: Transistors Darlington SS DL XSTR NPN 80V
Производитель: ON Semiconductor
Спецификация:
Детальное описание компонента BSP52T3G
Конфигурация Single Dual Collector Полярность транзистора NPN
Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. 80 V Напряжение эмиттер-база (VEBO) 5 V
Напряжение коллектор-база (VCBO) 90 V Максимальный постоянный ток коллектора 1 A
Максимальный ток отсечки коллектора 10 uA Рассеяние мощности 6.4 mW
Максимальная рабочая температура + 150 C Вид монтажа SMD/SMT
Упаковка / блок SOT-223 Упаковка Reel
Непрерывный коллекторный ток 1 mAdc Коллектор постоянного тока/Мин. коэфф. усиления транзистора (hfe) 1000 at 150 mA at 10 V, 2000 at 500 mA at 10 V
Минимальная рабочая температура - 65 C Размер фабричной упаковки 4000

Популярные товары:

Изображение Название Производитель Описание Спецификация Кол-во  
MAX2421EVKIT-SO MAX2421EVKIT-SO Maxim Integrated Products Радиочастотные средства разработки 1046675.pdf
DTC114TM3T5G DTC114TM3T5G ON Semiconductor Transistors Switching (Resistor Biased) 100mA 50V BRT NPN 9492759.pdf
TS472IQT TS472IQT STMicroelectronics Усилители звука Microphone Preamp Lo Noise 2911282.pdf
TL3116IPWR TL3116IPWR Texas Instruments ИС, компараторы Ultra-Fast Low-Power Precision Comparator 9511864.pdf
MAX334MJE MAX334MJE --- Коммутационные микросхемы ---