MMBTA13LT3G

MMBTA13LT3G
Кол-во:
Заказать
Доставка: 2-3 недели
Название: MMBTA13LT3G
Описание: Transistors Darlington SS DL XSTR NPN 30V
Производитель: ON Semiconductor
Спецификация:
Детальное описание компонента MMBTA13LT3G
Конфигурация Single Полярность транзистора NPN
Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. 30 V Напряжение эмиттер-база (VEBO) 10 V
Напряжение коллектор-база (VCBO) 30 V Максимальный постоянный ток коллектора 0.3 A
Максимальный ток отсечки коллектора 0.1 uA Рассеяние мощности 225 mW
Максимальная рабочая температура + 150 C Вид монтажа SMD/SMT
Упаковка / блок SOT-23 Упаковка Reel
Непрерывный коллекторный ток 300 mAdc Коллектор постоянного тока/Мин. коэфф. усиления транзистора (hfe) 5000 at 10 mA at 5 V, 10000 at 100 mA at 5 V
Минимальная рабочая температура - 55 C Размер фабричной упаковки 10000

Популярные товары:

Изображение Название Производитель Описание Спецификация Кол-во  
INA143UA/2K5 INA143UA/2K5 Texas Instruments Дифференциальные усилители Hi-Sp Precision G=10 or G=0.1s 607877.pdf
TQP3M9005 TQP3M9005 --- RF Semiconductors ---
B57703M303G40 B57703M303G40 --- Термисторы – отрицательный температурный коэффициент ---
HLMP-SL10-MQLDD HLMP-SL10-MQLDD --- Светодиодная индикация ---
500-063-1 500-063-1 --- Субминиатюрные соединители ---