MMBTA13LT3G

MMBTA13LT3G
Кол-во:
Заказать
Доставка: 2-3 недели
Название: MMBTA13LT3G
Описание: Transistors Darlington SS DL XSTR NPN 30V
Производитель: ON Semiconductor
Спецификация:
Детальное описание компонента MMBTA13LT3G
Конфигурация Single Полярность транзистора NPN
Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. 30 V Напряжение эмиттер-база (VEBO) 10 V
Напряжение коллектор-база (VCBO) 30 V Максимальный постоянный ток коллектора 0.3 A
Максимальный ток отсечки коллектора 0.1 uA Рассеяние мощности 225 mW
Максимальная рабочая температура + 150 C Вид монтажа SMD/SMT
Упаковка / блок SOT-23 Упаковка Reel
Непрерывный коллекторный ток 300 mAdc Коллектор постоянного тока/Мин. коэфф. усиления транзистора (hfe) 5000 at 10 mA at 5 V, 10000 at 100 mA at 5 V
Минимальная рабочая температура - 55 C Размер фабричной упаковки 10000

Популярные товары:

Изображение Название Производитель Описание Спецификация Кол-во  
WM8751L-6100-FL32-M-S WM8751L-6100-FL32-M-S Wolfson Microelectronics Средства разработки интегральных схем (ИС) аудиоконтроллеров WM8751L MINI Eval Board System ---
STGF19NC60WD STGF19NC60WD STMicroelectronics Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) N Ch 600V 7A 9319244.pdf
SN74LVC1G332DBVR SN74LVC1G332DBVR Texas Instruments Вентили (И / И НЕ / ИЛИ / ИЛИ НЕ) Sngl 3 Inpt + OR Gt 7968240.pdf
MAX4052ACEE-T MAX4052ACEE-T --- Коммутационные микросхемы ---
LP3913SQX-AR/NOPB LP3913SQX-AR/NOPB --- Схемы управления питанием ---