KSE803S

KSE803S
Кол-во:
Заказать
Доставка: 2-3 недели
Название: KSE803S
Описание: Transistors Darlington NPN Epitaxial Sil Darl
Производитель: Fairchild Semiconductor
Спецификация:
Детальное описание компонента KSE803S
Конфигурация Single Полярность транзистора NPN
Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. 80 V Напряжение эмиттер-база (VEBO) 5 V
Напряжение коллектор-база (VCBO) 80 V Максимальный постоянный ток коллектора 4 A
Максимальный ток отсечки коллектора 100 uA Максимальная рабочая температура + 150 C
Вид монтажа Through Hole Упаковка / блок TO-126
Упаковка Bulk Коллектор постоянного тока/Мин. коэфф. усиления транзистора (hfe) 100
Размер фабричной упаковки 250

Популярные товары:

Изображение Название Производитель Описание Спецификация Кол-во  
PTFA081501E V1 PTFA081501E V1 Infineon Technologies РЧ транзисторы, МОП-структура RFP-LDMOS GOLDMOS 8 ---
CC1180RSPR CC1180RSPR Texas Instruments ИС, сетевые контроллеры и процессоры Sub-GHz 6LoWPAN Network Proc 9585157.pdf
MGA-72543-TR2G MGA-72543-TR2G --- RF Semiconductors ---
MAX4532CWP MAX4532CWP --- Коммутационные микросхемы ---
FLP25V10.0-SUG FLP25V10.0-SUG --- Светодиодная индикация ---