MJD127G

MJD127G
Кол-во:
Заказать
Доставка: 2-3 недели
Название: MJD127G
Описание: Transistors Darlington 8A 100V Bipolar Power PNP
Производитель: ON Semiconductor
Спецификация:
Детальное описание компонента MJD127G
Конфигурация Single Полярность транзистора PNP
Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. 100 V Напряжение эмиттер-база (VEBO) 5 V
Напряжение коллектор-база (VCBO) 100 V Максимальный постоянный ток коллектора 8 A
Максимальный ток отсечки коллектора 10 uA Рассеяние мощности 20 W
Максимальная рабочая температура + 150 C Вид монтажа SMD/SMT
Упаковка / блок TO-252-3 (DPAK) Упаковка Tube
Непрерывный коллекторный ток 8 A Коллектор постоянного тока/Мин. коэфф. усиления транзистора (hfe) 100, 1000
Минимальная рабочая температура - 65 C Размер фабричной упаковки 75

Популярные товары:

Изображение Название Производитель Описание Спецификация Кол-во  
AX104240-B25 AX104240-B25 Belden Wire & Cable Волоконно-оптические соединители 62.5um MULTIMODE LC OM1 BEIGE 6039313.pdf
MAX3160CAP+ MAX3160CAP+ Maxim Integrated Products ИС интерфейса RS-422/RS-485 3-5.5V 1uA Tcvr Multiprotocol 5855480.pdf5855496.pdf
CY14B104N-BA20XC CY14B104N-BA20XC --- Микросхемы памяти ---
CGS663U016V4C CGS663U016V4C --- Конденсаторы ---
B41112A3225M B41112A3225M --- Конденсаторы ---