MJD127G

MJD127G
Кол-во:
Заказать
Доставка: 2-3 недели
Название: MJD127G
Описание: Transistors Darlington 8A 100V Bipolar Power PNP
Производитель: ON Semiconductor
Спецификация:
Детальное описание компонента MJD127G
Конфигурация Single Полярность транзистора PNP
Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. 100 V Напряжение эмиттер-база (VEBO) 5 V
Напряжение коллектор-база (VCBO) 100 V Максимальный постоянный ток коллектора 8 A
Максимальный ток отсечки коллектора 10 uA Рассеяние мощности 20 W
Максимальная рабочая температура + 150 C Вид монтажа SMD/SMT
Упаковка / блок TO-252-3 (DPAK) Упаковка Tube
Непрерывный коллекторный ток 8 A Коллектор постоянного тока/Мин. коэфф. усиления транзистора (hfe) 100, 1000
Минимальная рабочая температура - 65 C Размер фабричной упаковки 75

Популярные товары:

Изображение Название Производитель Описание Спецификация Кол-во  
XR16V2651IM-0B-EB XR16V2651IM-0B-EB Exar ИС, интерфейс UART Supports V2651 48 ld TQFP, PCI Interface 6171544.pdf
MAX9996ETP+ MAX9996ETP+ --- RF Semiconductors ---
VUA331M1ATR-0810 VUA331M1ATR-0810 --- Конденсаторы ---
NN7776CG NN7776CG --- Инструменты ---
8142 8142 --- Средства маркировки и укладки проводов и кабелей ---