MJ11032G

MJ11032G
Кол-во:
Заказать
Доставка: 2-3 недели
Название: MJ11032G
Описание: Transistors Darlington 50A 120V Bipolar Power NPN
Производитель: ON Semiconductor
Спецификация: 9418250.pdf
Детальное описание компонента MJ11032G
Конфигурация Single Полярность транзистора NPN
Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. 120 V Напряжение эмиттер-база (VEBO) 5 V
Напряжение коллектор-база (VCBO) 120 V Максимальный постоянный ток коллектора 50 A
Рассеяние мощности 0.3 W Максимальная рабочая температура + 150 C
Вид монтажа Through Hole Упаковка / блок TO-204-2 (TO-3)
Упаковка Tray Непрерывный коллекторный ток 50 A
Коллектор постоянного тока/Мин. коэфф. усиления транзистора (hfe) 1000 Минимальная рабочая температура - 55 C
Размер фабричной упаковки 100

Популярные товары:

Изображение Название Производитель Описание Спецификация Кол-во  
MFR4300FRDC MFR4300FRDC Freescale Semiconductor Макетные платы и комплекты - S08 / S12 FLXRAY MFR4300 EVB ---
STABP01D STABP01D STMicroelectronics Цифровые процессоры звукового сигнала BASH Digital Procsr 6013658.pdf
MAX5477ETE+T MAX5477ETE+T Maxim Integrated Products ИС, цифровые потенциометры Dual 256-Tap NV I2C-Interface 5069522.pdf
M27V320-100M1 M27V320-100M1 --- Микросхемы памяти ---
LM8801XUE-1.82/NOPB LM8801XUE-1.82/NOPB --- Схемы управления питанием ---