NJD35N04G

NJD35N04G
Кол-во:
Заказать
Доставка: 2-3 недели
Название: NJD35N04G
Описание: Transistors Darlington POWER DARL TRANSIST
Производитель: ON Semiconductor
Спецификация:
Детальное описание компонента NJD35N04G
Конфигурация Single Полярность транзистора NPN
Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. 350 V Напряжение эмиттер-база (VEBO) 5 V
Напряжение коллектор-база (VCBO) 700 V Максимальный постоянный ток коллектора 4 A
Максимальная рабочая температура + 150 C Вид монтажа SMD/SMT
Упаковка / блок DPAK Упаковка Rail
Коллектор постоянного тока/Мин. коэфф. усиления транзистора (hfe) 2000 at 2 A at 2 V, 300 at 4 A at 2 V Минимальная рабочая температура - 65 C
Размер фабричной упаковки 75

Популярные товары:

Изображение Название Производитель Описание Спецификация Кол-во  
MAX6441KAMSRD7+T MAX6441KAMSRD7+T --- Схемы управления питанием ---
R2LC-2.5-GRN R2LC-2.5-GRN --- Светодиодная индикация ---
UZG1C330MCL1GB UZG1C330MCL1GB --- Конденсаторы ---
10TCCV10BA 10TCCV10BA --- Конденсаторы ---
2-2029028-4 2-2029028-4 --- Прямоугольные разъемы ---