NJD35N04G

NJD35N04G
Кол-во:
Заказать
Доставка: 2-3 недели
Название: NJD35N04G
Описание: Transistors Darlington POWER DARL TRANSIST
Производитель: ON Semiconductor
Спецификация:
Детальное описание компонента NJD35N04G
Конфигурация Single Полярность транзистора NPN
Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. 350 V Напряжение эмиттер-база (VEBO) 5 V
Напряжение коллектор-база (VCBO) 700 V Максимальный постоянный ток коллектора 4 A
Максимальная рабочая температура + 150 C Вид монтажа SMD/SMT
Упаковка / блок DPAK Упаковка Rail
Коллектор постоянного тока/Мин. коэфф. усиления транзистора (hfe) 2000 at 2 A at 2 V, 300 at 4 A at 2 V Минимальная рабочая температура - 65 C
Размер фабричной упаковки 75

Популярные товары:

Изображение Название Производитель Описание Спецификация Кол-во  
ZLNB153X8TC ZLNB153X8TC Diodes Inc. Кодеры, декодеры, мультиплексоры и демультиплексоры Single ---
S-8357B33MC-NIS-T2 S-8357B33MC-NIS-T2 --- Схемы управления питанием ---
EL817(M)(A))-VG EL817(M)(A))-VG --- Оптопары и оптроны ---
THT826M050P6C THT826M050P6C --- Конденсаторы ---
742792037 742792037 --- ЭМП и РЧП ---