NJD35N04G

NJD35N04G
Кол-во:
Заказать
Доставка: 2-3 недели
Название: NJD35N04G
Описание: Transistors Darlington POWER DARL TRANSIST
Производитель: ON Semiconductor
Спецификация:
Детальное описание компонента NJD35N04G
Конфигурация Single Полярность транзистора NPN
Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. 350 V Напряжение эмиттер-база (VEBO) 5 V
Напряжение коллектор-база (VCBO) 700 V Максимальный постоянный ток коллектора 4 A
Максимальная рабочая температура + 150 C Вид монтажа SMD/SMT
Упаковка / блок DPAK Упаковка Rail
Коллектор постоянного тока/Мин. коэфф. усиления транзистора (hfe) 2000 at 2 A at 2 V, 300 at 4 A at 2 V Минимальная рабочая температура - 65 C
Размер фабричной упаковки 75

Популярные товары:

Изображение Название Производитель Описание Спецификация Кол-во  
BXC-10567 BXC-10567 JKL Components Инверторы EL/CCFL и аксессуары Out Con-Inv BXA12563 3756405.pdf
TLC5929RGET TLC5929RGET Texas Instruments LED Drivers 16-Ch Constant Crnt LED Driver 4390907.pdf
MAC97A8RL1G MAC97A8RL1G ON Semiconductor Триаки THY .6A 600V TRIAC ---
MAX13330GEE/V+T MAX13330GEE/V+T Maxim Integrated Products Усилители звука DirectDrive Head Phone Amp 4363200.pdf
TPS3803-01DCKR TPS3803-01DCKR --- Схемы управления питанием ---