MJD112TF

MJD112TF
Кол-во:
Заказать
Доставка: 2-3 недели
Название: MJD112TF
Описание: Transistors Darlington NPN Si Transistor Darlington
Производитель: Fairchild Semiconductor
Спецификация: 9417440.pdf
Детальное описание компонента MJD112TF
Конфигурация Single Полярность транзистора NPN
Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. 100 V Напряжение эмиттер-база (VEBO) 5 V
Напряжение коллектор-база (VCBO) 100 V Максимальный постоянный ток коллектора 2 A
Максимальный ток отсечки коллектора 20 uA Максимальная рабочая температура + 150 C
Вид монтажа SMD/SMT Упаковка / блок DPAK
Упаковка Reel Коллектор постоянного тока/Мин. коэфф. усиления транзистора (hfe) 200 at 4 A at 3 V, 500 at 500 mA at 3 V, 1000 at 2 A at 3 V
Минимальная рабочая температура - 65 C Размер фабричной упаковки 2000
Другие названия товара № MJD112TF_NL

Популярные товары:

Изображение Название Производитель Описание Спецификация Кол-во  
HV9922N3-G HV9922N3-G Supertex LED Drivers Switchmode PWM 4348089.pdf4348134.pdf
IXGH24N170A IXGH24N170A Ixys Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) 24 Amps 1200 V 5 V Rds 9340884.pdf
MPSA65_D26Z MPSA65_D26Z Fairchild Semiconductor Transistors Darlington PNP Darl Transistor 9455726.pdf
CD74AC153E CD74AC153E Texas Instruments Кодеры, декодеры, мультиплексоры и демультиплексоры Dual 4 Input 2647669.pdf
MC10ELT28D MC10ELT28D ON Semiconductor Трансляция - уровни напряжения 5V TTL to Diff PECL ---