MJD112TF

MJD112TF
Кол-во:
Заказать
Доставка: 2-3 недели
Название: MJD112TF
Описание: Transistors Darlington NPN Si Transistor Darlington
Производитель: Fairchild Semiconductor
Спецификация: 9417440.pdf
Детальное описание компонента MJD112TF
Конфигурация Single Полярность транзистора NPN
Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. 100 V Напряжение эмиттер-база (VEBO) 5 V
Напряжение коллектор-база (VCBO) 100 V Максимальный постоянный ток коллектора 2 A
Максимальный ток отсечки коллектора 20 uA Максимальная рабочая температура + 150 C
Вид монтажа SMD/SMT Упаковка / блок DPAK
Упаковка Reel Коллектор постоянного тока/Мин. коэфф. усиления транзистора (hfe) 200 at 4 A at 3 V, 500 at 500 mA at 3 V, 1000 at 2 A at 3 V
Минимальная рабочая температура - 65 C Размер фабричной упаковки 2000
Другие названия товара № MJD112TF_NL

Популярные товары:

Изображение Название Производитель Описание Спецификация Кол-во  
IXGH39N60BD1 IXGH39N60BD1 Ixys Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) 76 Amps 600V 1.8 Rds ---
BTB06-600CRG BTB06-600CRG STMicroelectronics Триаки 6 Amp 600 Volt 219601.pdf
L6615D013TR L6615D013TR --- Схемы управления питанием ---
M4LV-256/128-10YI M4LV-256/128-10YI --- Программируемые логические интегральные схемы ---
SSL-LX2473USBD SSL-LX2473USBD --- Светодиодная индикация ---