MJD112TF

MJD112TF
Кол-во:
Заказать
Доставка: 2-3 недели
Название: MJD112TF
Описание: Transistors Darlington NPN Si Transistor Darlington
Производитель: Fairchild Semiconductor
Спецификация: 9417440.pdf
Детальное описание компонента MJD112TF
Конфигурация Single Полярность транзистора NPN
Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. 100 V Напряжение эмиттер-база (VEBO) 5 V
Напряжение коллектор-база (VCBO) 100 V Максимальный постоянный ток коллектора 2 A
Максимальный ток отсечки коллектора 20 uA Максимальная рабочая температура + 150 C
Вид монтажа SMD/SMT Упаковка / блок DPAK
Упаковка Reel Коллектор постоянного тока/Мин. коэфф. усиления транзистора (hfe) 200 at 4 A at 3 V, 500 at 500 mA at 3 V, 1000 at 2 A at 3 V
Минимальная рабочая температура - 65 C Размер фабричной упаковки 2000
Другие названия товара № MJD112TF_NL

Популярные товары:

Изображение Название Производитель Описание Спецификация Кол-во  
PCA9515AD,118 PCA9515AD,118 NXP Semiconductors Расширители ввода/вывода, ретрансляторы и концентраторы I2C BUS REPEATER 4880497.pdf4880571.pdf
UCC3585MTRG4 UCC3585MTRG4 --- Схемы управления питанием ---
03335 03335 --- Панельные измерительные приборы ---
123680/OFOR/2M/Bl 123680/OFOR/2M/Bl --- Комплектующие для испытательного оборудования ---
WD2 WD2 --- Инструменты ---