MJD117-1G

MJD117-1G
Кол-во:
Заказать
Доставка: 2-3 недели
Название: MJD117-1G
Описание: Transistors Darlington 2A 100V Bipolar Power PNP
Производитель: ON Semiconductor
Спецификация:
Детальное описание компонента MJD117-1G
Конфигурация Single Полярность транзистора PNP
Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. 100 V Напряжение эмиттер-база (VEBO) 5 V
Напряжение коллектор-база (VCBO) 100 V Максимальный постоянный ток коллектора 2 A
Максимальный ток отсечки коллектора 20 uA Рассеяние мощности 20 W
Максимальная рабочая температура + 150 C Вид монтажа SMD/SMT
Упаковка / блок TO-252-3 (DPAK) Упаковка Tube
Непрерывный коллекторный ток 2 A Коллектор постоянного тока/Мин. коэфф. усиления транзистора (hfe) 200, 500, 1000
Минимальная рабочая температура - 65 C Размер фабричной упаковки 75

Популярные товары:

Изображение Название Производитель Описание Спецификация Кол-во  
CL2N3 CL2N3 Supertex LED Drivers 90V 20mA Temp Comp 4553090.pdf
MTF-T057AMSLN-V4 MTF-T057AMSLN-V4 Microtips Technology Тонкопленочные дисплеи и принадлежности 5.7" TFT WHITE LED 500 Nits ---
TPA2029D1YZFEVM TPA2029D1YZFEVM Texas Instruments Средства разработки интегральных схем (ИС) аудиоконтроллеров TPA2029D1 Eval Mod 9251308.pdf
MAX9129EUE+T MAX9129EUE+T Maxim Integrated Products ИС интерфейса LVDS Quad LVDS Line Driver 7785802.pdf
M74HCT32B1R M74HCT32B1R STMicroelectronics Вентили (И / И НЕ / ИЛИ / ИЛИ НЕ) Quad 2-Input OR Gate 8299759.pdf