MJD117-1G

MJD117-1G
Кол-во:
Заказать
Доставка: 2-3 недели
Название: MJD117-1G
Описание: Transistors Darlington 2A 100V Bipolar Power PNP
Производитель: ON Semiconductor
Спецификация:
Детальное описание компонента MJD117-1G
Конфигурация Single Полярность транзистора PNP
Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. 100 V Напряжение эмиттер-база (VEBO) 5 V
Напряжение коллектор-база (VCBO) 100 V Максимальный постоянный ток коллектора 2 A
Максимальный ток отсечки коллектора 20 uA Рассеяние мощности 20 W
Максимальная рабочая температура + 150 C Вид монтажа SMD/SMT
Упаковка / блок TO-252-3 (DPAK) Упаковка Tube
Непрерывный коллекторный ток 2 A Коллектор постоянного тока/Мин. коэфф. усиления транзистора (hfe) 200, 500, 1000
Минимальная рабочая температура - 65 C Размер фабричной упаковки 75

Популярные товары:

Изображение Название Производитель Описание Спецификация Кол-во  
SERDESUR-43USB/NOPB SERDESUR-43USB/NOPB National Semiconductor (TI) Interface Development Tools DS90UR241/124 W/CABLE EVAL KIT 9638727.pdf
CORDIC-E2-U1 CORDIC-E2-U1 Lattice Программное обеспечение для разработки CORDIC EC/ECP Licens Digital Comp ALGO ---
BTA216X-600D,127 BTA216X-600D,127 NXP Semiconductors Триаки RAIL TRIAC 222307.pdf
HFBR-782BEHZ HFBR-782BEHZ Avago Technologies Волоконно-оптические передатчики, приемники, трансиверы Transceiver ---
PCA9554PW/Q900,118 PCA9554PW/Q900,118 --- Логические микросхемы ---