MJD117-1G
|
Кол-во:
Заказать Доставка: 2-3 недели
|
||
| Название: | MJD117-1G | ||
| Описание: | Transistors Darlington 2A 100V Bipolar Power PNP | ||
| Производитель: | ON Semiconductor | ||
| Спецификация: | |||
| Детальное описание компонента MJD117-1G | |||
| Конфигурация | Single | Полярность транзистора | PNP |
|---|---|---|---|
| Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. | 100 V | Напряжение эмиттер-база (VEBO) | 5 V |
| Напряжение коллектор-база (VCBO) | 100 V | Максимальный постоянный ток коллектора | 2 A |
| Максимальный ток отсечки коллектора | 20 uA | Рассеяние мощности | 20 W |
| Максимальная рабочая температура | + 150 C | Вид монтажа | SMD/SMT |
| Упаковка / блок | TO-252-3 (DPAK) | Упаковка | Tube |
| Непрерывный коллекторный ток | 2 A | Коллектор постоянного тока/Мин. коэфф. усиления транзистора (hfe) | 200, 500, 1000 |
| Минимальная рабочая температура | - 65 C | Размер фабричной упаковки | 75 |
Популярные товары:
| Изображение | Название | Производитель | Описание | Спецификация | Кол-во | |
|---|---|---|---|---|---|---|
 |
MRFE6VP5600HR6 | Freescale Semiconductor | РЧ транзисторы, МОП-структура VHV6 600W 50V NI1230H | --- |
|
|
 |
MAX9024AUD+ | Maxim Integrated Products | ИС, компараторы Quad uPower Comparator | 9481073.pdf |
|
|
|
|
IAM-92516-TR2 | --- | RF Semiconductors | --- |
|
|
|
|
L6506 | --- | Схемы управления питанием | --- |
|
|
|
|
LV8734V-TLM-H | --- | Схемы управления питанием | --- |
|