NJD35N04T4G

NJD35N04T4G
Кол-во:
Заказать
Доставка: 2-3 недели
Название: NJD35N04T4G
Описание: Transistors Darlington NPN DARL POWER TRAN
Производитель: ON Semiconductor
Спецификация:
Детальное описание компонента NJD35N04T4G
Конфигурация Single Полярность транзистора NPN
Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. 350 V Напряжение эмиттер-база (VEBO) 5 V
Напряжение коллектор-база (VCBO) 700 V Максимальный постоянный ток коллектора 4 A
Рассеяние мощности 45 W Максимальная рабочая температура + 150 C
Вид монтажа SMD/SMT Упаковка / блок DPAK
Упаковка Reel Непрерывный коллекторный ток 4 A
Коллектор постоянного тока/Мин. коэфф. усиления транзистора (hfe) 2000 at 2 A at 2 V, 300 at 4 A at 2 V Минимальная рабочая температура - 65 C
Размер фабричной упаковки 2500

Популярные товары:

Изображение Название Производитель Описание Спецификация Кол-во  
EMC2DXV5T1 EMC2DXV5T1 ON Semiconductor Transistors Switching (Resistor Biased) 50V Dual Common Base ---
THS4022IDG4 THS4022IDG4 Texas Instruments Быстродействующие операционные усилители Dual 350MHz 876970.pdf
MAX6432LQUS-T MAX6432LQUS-T --- Схемы управления питанием ---
OPB609GU OPB609GU --- Фотопрерыватели ---
XPCWHT-L1-R250-00AA2 XPCWHT-L1-R250-00AA2 --- Светодиоды высокой мощности ---