NJD35N04T4G
|
Кол-во:
Заказать Доставка: 2-3 недели
|
||
| Название: | NJD35N04T4G | ||
| Описание: | Transistors Darlington NPN DARL POWER TRAN | ||
| Производитель: | ON Semiconductor | ||
| Спецификация: | |||
| Детальное описание компонента NJD35N04T4G | |||
| Конфигурация | Single | Полярность транзистора | NPN |
|---|---|---|---|
| Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. | 350 V | Напряжение эмиттер-база (VEBO) | 5 V |
| Напряжение коллектор-база (VCBO) | 700 V | Максимальный постоянный ток коллектора | 4 A |
| Рассеяние мощности | 45 W | Максимальная рабочая температура | + 150 C |
| Вид монтажа | SMD/SMT | Упаковка / блок | DPAK |
| Упаковка | Reel | Непрерывный коллекторный ток | 4 A |
| Коллектор постоянного тока/Мин. коэфф. усиления транзистора (hfe) | 2000 at 2 A at 2 V, 300 at 4 A at 2 V | Минимальная рабочая температура | - 65 C |
| Размер фабричной упаковки | 2500 | ||
Популярные товары:
| Изображение | Название | Производитель | Описание | Спецификация | Кол-во | |
|---|---|---|---|---|---|---|
 |
74HC688DB,118 | NXP Semiconductors | ИС, компараторы 8-BIT MAGNITUDE | 9460446.pdf |
|
|
 |
25AA640T-I/SN | --- | Микросхемы памяти | --- |
|
|
|
|
TR7000 | --- | RF Semiconductors | --- |
|
|
|
|
MX6SWT-H1-0000-000CB9 | --- | Светодиоды высокой мощности | --- |
|
|
|
|
AMB3459 | --- | Промышленные датчики | --- |
|