NJD35N04T4G

NJD35N04T4G
Кол-во:
Заказать
Доставка: 2-3 недели
Название: NJD35N04T4G
Описание: Transistors Darlington NPN DARL POWER TRAN
Производитель: ON Semiconductor
Спецификация:
Детальное описание компонента NJD35N04T4G
Конфигурация Single Полярность транзистора NPN
Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. 350 V Напряжение эмиттер-база (VEBO) 5 V
Напряжение коллектор-база (VCBO) 700 V Максимальный постоянный ток коллектора 4 A
Рассеяние мощности 45 W Максимальная рабочая температура + 150 C
Вид монтажа SMD/SMT Упаковка / блок DPAK
Упаковка Reel Непрерывный коллекторный ток 4 A
Коллектор постоянного тока/Мин. коэфф. усиления транзистора (hfe) 2000 at 2 A at 2 V, 300 at 4 A at 2 V Минимальная рабочая температура - 65 C
Размер фабричной упаковки 2500

Популярные товары:

Изображение Название Производитель Описание Спецификация Кол-во  
TRSF3222CDBRG4 TRSF3222CDBRG4 Texas Instruments ИС, интерфейс RS-232 3V-5.5V Multich RS- 232 Line Drvr/Rcvr 5746860.pdf
MAX4889ETO+ MAX4889ETO+ --- Коммутационные микросхемы ---
C566C-BFS-CU0V0342 C566C-BFS-CU0V0342 --- Светодиодная индикация ---
SSRM-600A45 SSRM-600A45 --- Оптопары и оптроны ---
E6C2-CWZ3E 10P/R 2M E6C2-CWZ3E 10P/R 2M --- Кодеры ---