MJ11015G

MJ11015G
Кол-во:
Заказать
Доставка: 2-3 недели
Название: MJ11015G
Описание: Transistors Darlington 30A 120V Bipolar Power PNP
Производитель: ON Semiconductor
Спецификация: 9416195.pdf
Детальное описание компонента MJ11015G
Конфигурация Single Полярность транзистора PNP
Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. 120 V Напряжение эмиттер-база (VEBO) 5 V
Напряжение коллектор-база (VCBO) 120 V Максимальный постоянный ток коллектора 30 A
Рассеяние мощности 200 W Максимальная рабочая температура + 150 C
Вид монтажа Through Hole Упаковка / блок TO-204-2 (TO-3)
Упаковка Tray Непрерывный коллекторный ток 30 A
Коллектор постоянного тока/Мин. коэфф. усиления транзистора (hfe) 1000 Минимальная рабочая температура - 55 C
Размер фабричной упаковки 100

Популярные товары:

Изображение Название Производитель Описание Спецификация Кол-во  
MPC8349E-MITX-GP MPC8349E-MITX-GP Freescale Semiconductor Макетные платы и комплекты - другие процессоры GP REF DESGN BRD FOR MPC ---
DS1245ABP-70+ DS1245ABP-70+ --- Микросхемы памяти ---
IR2117STRPBF IR2117STRPBF --- Схемы управления питанием ---
IRU3037CSTR IRU3037CSTR --- Схемы управления питанием ---
LC4064B-5TN100C LC4064B-5TN100C --- Программируемые логические интегральные схемы ---