MJD127T4G

MJD127T4G
Кол-во:
Заказать
Доставка: 2-3 недели
Название: MJD127T4G
Описание: Transistors Darlington 8A 100V Bipolar Power PNP
Производитель: ON Semiconductor
Спецификация:
Детальное описание компонента MJD127T4G
Конфигурация Single Полярность транзистора PNP
Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. 100 V Напряжение эмиттер-база (VEBO) 5 V
Напряжение коллектор-база (VCBO) 100 V Максимальный постоянный ток коллектора 8 A
Максимальный ток отсечки коллектора 10 uA Рассеяние мощности 20 W
Максимальная рабочая температура + 150 C Вид монтажа SMD/SMT
Упаковка / блок TO-252-3 (DPAK) Упаковка Reel
Непрерывный коллекторный ток 8 A Коллектор постоянного тока/Мин. коэфф. усиления транзистора (hfe) 100, 1000
Минимальная рабочая температура - 65 C Размер фабричной упаковки 2500

Популярные товары:

Изображение Название Производитель Описание Спецификация Кол-во  
NJM2135M NJM2135M NJR Усилители звука Low Voltage ---
CD74HC27MG4 CD74HC27MG4 Texas Instruments Вентили (И / И НЕ / ИЛИ / ИЛИ НЕ) Hi Sp CMOS Log Tr 3- Input NOR 8227744.pdf
B41458B8109M B41458B8109M --- Конденсаторы ---
74AVC16836ADGV,118 74AVC16836ADGV,118 --- Логические микросхемы ---
345-072-541-208 345-072-541-208 --- Прямоугольные разъемы ---