MJD127T4G

MJD127T4G
Кол-во:
Заказать
Доставка: 2-3 недели
Название: MJD127T4G
Описание: Transistors Darlington 8A 100V Bipolar Power PNP
Производитель: ON Semiconductor
Спецификация:
Детальное описание компонента MJD127T4G
Конфигурация Single Полярность транзистора PNP
Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. 100 V Напряжение эмиттер-база (VEBO) 5 V
Напряжение коллектор-база (VCBO) 100 V Максимальный постоянный ток коллектора 8 A
Максимальный ток отсечки коллектора 10 uA Рассеяние мощности 20 W
Максимальная рабочая температура + 150 C Вид монтажа SMD/SMT
Упаковка / блок TO-252-3 (DPAK) Упаковка Reel
Непрерывный коллекторный ток 8 A Коллектор постоянного тока/Мин. коэфф. усиления транзистора (hfe) 100, 1000
Минимальная рабочая температура - 65 C Размер фабричной упаковки 2500

Популярные товары:

Изображение Название Производитель Описание Спецификация Кол-во  
MRF951V2 MRF951V2 --- RF Semiconductors ---
0MNB030.X 0MNB030.X --- Автоматические выключатели ---
HLMP-AD16-STTDD HLMP-AD16-STTDD --- Светодиодная индикация ---
T190C186K125AS T190C186K125AS --- Конденсаторы ---
38331-5927 38331-5927 --- Прямоугольные разъемы ---