MJD127T4G

MJD127T4G
Кол-во:
Заказать
Доставка: 2-3 недели
Название: MJD127T4G
Описание: Transistors Darlington 8A 100V Bipolar Power PNP
Производитель: ON Semiconductor
Спецификация:
Детальное описание компонента MJD127T4G
Конфигурация Single Полярность транзистора PNP
Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. 100 V Напряжение эмиттер-база (VEBO) 5 V
Напряжение коллектор-база (VCBO) 100 V Максимальный постоянный ток коллектора 8 A
Максимальный ток отсечки коллектора 10 uA Рассеяние мощности 20 W
Максимальная рабочая температура + 150 C Вид монтажа SMD/SMT
Упаковка / блок TO-252-3 (DPAK) Упаковка Reel
Непрерывный коллекторный ток 8 A Коллектор постоянного тока/Мин. коэфф. усиления транзистора (hfe) 100, 1000
Минимальная рабочая температура - 65 C Размер фабричной упаковки 2500

Популярные товары:

Изображение Название Производитель Описание Спецификация Кол-во  
SN74S09DE4 SN74S09DE4 Texas Instruments Вентили (И / И НЕ / ИЛИ / ИЛИ НЕ) Quad 2-input Positive-AND Gate 9486309.pdf
LCMXO2256ZE1TG100CES LCMXO2256ZE1TG100CES --- Программируемые логические интегральные схемы ---
H-103C H-103C --- Светодиодная индикация ---
HCPL-4502#060 HCPL-4502#060 --- Оптопары и оптроны ---
XPGWHT-01-R250-00HE4 XPGWHT-01-R250-00HE4 --- Светодиоды высокой мощности ---