MJD117G

MJD117G
Кол-во:
Заказать
Доставка: 2-3 недели
Название: MJD117G
Описание: Transistors Darlington 2A 100V Bipolar Power PNP
Производитель: ON Semiconductor
Спецификация:
Детальное описание компонента MJD117G
Конфигурация Single Полярность транзистора PNP
Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. 100 V Напряжение эмиттер-база (VEBO) 5 V
Напряжение коллектор-база (VCBO) 100 V Максимальный постоянный ток коллектора 2 A
Максимальный ток отсечки коллектора 20 uA Рассеяние мощности 20 W
Максимальная рабочая температура + 150 C Вид монтажа SMD/SMT
Упаковка / блок TO-252-3 (DPAK) Упаковка Tube
Непрерывный коллекторный ток 2 A Коллектор постоянного тока/Мин. коэфф. усиления транзистора (hfe) 200, 500, 1000
Минимальная рабочая температура - 65 C Размер фабричной упаковки 75

Популярные товары:

Изображение Название Производитель Описание Спецификация Кол-во  
DS3691MX/NOPB DS3691MX/NOPB National Semiconductor (TI) Шинные ресиверы 6321306.pdf
74ACT153SCX 74ACT153SCX Fairchild Semiconductor Кодеры, декодеры, мультиплексоры и демультиплексоры Dl 4-Inp Multiplexer 3885649.pdf
S25FL512SAGBHIC13 S25FL512SAGBHIC13 --- Микросхемы памяти ---
SSF-LXH240GAD-5V SSF-LXH240GAD-5V --- Светодиодная индикация ---
BGA2851,115 BGA2851,115 --- RF Semiconductors ---