MJD117G

MJD117G
Кол-во:
Заказать
Доставка: 2-3 недели
Название: MJD117G
Описание: Transistors Darlington 2A 100V Bipolar Power PNP
Производитель: ON Semiconductor
Спецификация:
Детальное описание компонента MJD117G
Конфигурация Single Полярность транзистора PNP
Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. 100 V Напряжение эмиттер-база (VEBO) 5 V
Напряжение коллектор-база (VCBO) 100 V Максимальный постоянный ток коллектора 2 A
Максимальный ток отсечки коллектора 20 uA Рассеяние мощности 20 W
Максимальная рабочая температура + 150 C Вид монтажа SMD/SMT
Упаковка / блок TO-252-3 (DPAK) Упаковка Tube
Непрерывный коллекторный ток 2 A Коллектор постоянного тока/Мин. коэфф. усиления транзистора (hfe) 200, 500, 1000
Минимальная рабочая температура - 65 C Размер фабричной упаковки 75

Популярные товары:

Изображение Название Производитель Описание Спецификация Кол-во  
CDB4270 CDB4270 Cirrus Logic Средства разработки интегральных схем (ИС) аудиоконтроллеров Eval Bd 105dB 192kHz CODEC 9248340.pdf9248361.pdf
TDA1576TD TDA1576TD NXP Semiconductors Усилители звука FM IF AMP CIRCUIT 5607539.pdf
CAT25C08P-1.8 CAT25C08P-1.8 --- Микросхемы памяти ---
MAX6440UTOSZD7+T MAX6440UTOSZD7+T --- Схемы управления питанием ---
PTTC-705-PK PTTC-705-PK --- Инструменты ---