MJD117G

MJD117G
Кол-во:
Заказать
Доставка: 2-3 недели
Название: MJD117G
Описание: Transistors Darlington 2A 100V Bipolar Power PNP
Производитель: ON Semiconductor
Спецификация:
Детальное описание компонента MJD117G
Конфигурация Single Полярность транзистора PNP
Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. 100 V Напряжение эмиттер-база (VEBO) 5 V
Напряжение коллектор-база (VCBO) 100 V Максимальный постоянный ток коллектора 2 A
Максимальный ток отсечки коллектора 20 uA Рассеяние мощности 20 W
Максимальная рабочая температура + 150 C Вид монтажа SMD/SMT
Упаковка / блок TO-252-3 (DPAK) Упаковка Tube
Непрерывный коллекторный ток 2 A Коллектор постоянного тока/Мин. коэфф. усиления транзистора (hfe) 200, 500, 1000
Минимальная рабочая температура - 65 C Размер фабричной упаковки 75

Популярные товары:

Изображение Название Производитель Описание Спецификация Кол-во  
MPC8360VVAGDGA MPC8360VVAGDGA Freescale Semiconductor Микропроцессоры (MPU) 8360 TBGA NON-ENC NO-PB 6266349.pdf
MP20042DG-JG-LF-Z MP20042DG-JG-LF-Z --- Схемы управления питанием ---
TS4041DIZ-1.2 TS4041DIZ-1.2 --- Схемы управления питанием ---
MAX6837WXSD0+T MAX6837WXSD0+T --- Схемы управления питанием ---
B41115A3476M B41115A3476M --- Конденсаторы ---