BUB323ZT4G

BUB323ZT4G
Кол-во:
Заказать
Доставка: 2-3 недели
Название: BUB323ZT4G
Описание: Transistors Darlington 10A 350V Bipolar Power NPN
Производитель: ON Semiconductor
Спецификация:
Детальное описание компонента BUB323ZT4G
Конфигурация Single Полярность транзистора NPN
Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. 350 V Напряжение эмиттер-база (VEBO) 6 V
Максимальный постоянный ток коллектора 10 A Рассеяние мощности 150 W
Максимальная рабочая температура + 150 C Вид монтажа SMD/SMT
Упаковка / блок TO-263-3 (D2PAK) Упаковка Reel
Непрерывный коллекторный ток 10 A Коллектор постоянного тока/Мин. коэфф. усиления транзистора (hfe) 500
Минимальная рабочая температура - 65 C Размер фабричной упаковки 800

Популярные товары:

Изображение Название Производитель Описание Спецификация Кол-во  
NCP3170BGEVB NCP3170BGEVB ON Semiconductor Средства разработки интегральных схем (ИС) управления питанием NCP3170BDR2G EVAL BOARD ---
TL16C2550IRHBG4 TL16C2550IRHBG4 Texas Instruments ИС, интерфейс UART 16-byte dual-FIFO UART 6149510.pdf
MC56F8323VFB60 MC56F8323VFB60 Freescale Semiconductor Contrôleurs et processeurs de signal numériques (DSP, DSC) 60MHz 60MIPS 6181995.pdf
TPS2223DBG4 TPS2223DBG4 --- Схемы управления питанием ---
NCP5220MNR2 NCP5220MNR2 --- Схемы управления питанием ---