MJD6039T4G

MJD6039T4G
Кол-во:
Заказать
Доставка: 2-3 недели
Название: MJD6039T4G
Описание: Transistors Darlington 2A 80V Bipolar Power NPN
Производитель: ON Semiconductor
Спецификация:
Детальное описание компонента MJD6039T4G
Конфигурация Single Полярность транзистора NPN
Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. 80 V Напряжение эмиттер-база (VEBO) 5 V
Напряжение коллектор-база (VCBO) 80 V Максимальный постоянный ток коллектора 4 A
Рассеяние мощности 20 W Максимальная рабочая температура + 150 C
Вид монтажа SMD/SMT Упаковка / блок TO-252-3 (DPAK)
Упаковка Reel Непрерывный коллекторный ток 4 A
Коллектор постоянного тока/Мин. коэфф. усиления транзистора (hfe) 1000, 500 Минимальная рабочая температура - 65 C
Размер фабричной упаковки 2500

Популярные товары:

Изображение Название Производитель Описание Спецификация Кол-во  
SI5020C-BA SI5020C-BA Silicon Labs Инструменты для разработки часов и таймеров Multi-Rate SONET/ SDH CDR Morph Board 9622423.pdf
HFBR-2505CFZ HFBR-2505CFZ Avago Technologies Волоконно-оптические передатчики, приемники, трансиверы Fiber Optic Receiver INTERBUS up to 5MBd ---
CD74HCT04PWR CD74HCT04PWR Texas Instruments Инвертеры High Speed CMOS Logic Hex Инвертеры 5174361.pdf
dsPIC33FJ64GP708AT-I/PT dsPIC33FJ64GP708AT-I/PT Microchip Technology Обработчики и контроллеры цифровых сигналов (DSP, DSC) 16Bit 40MIPS 64KB Flash 5958970.pdf
BGD712,112 BGD712,112 --- RF Semiconductors ---