MJD6039T4G

MJD6039T4G
Кол-во:
Заказать
Доставка: 2-3 недели
Название: MJD6039T4G
Описание: Transistors Darlington 2A 80V Bipolar Power NPN
Производитель: ON Semiconductor
Спецификация:
Детальное описание компонента MJD6039T4G
Конфигурация Single Полярность транзистора NPN
Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. 80 V Напряжение эмиттер-база (VEBO) 5 V
Напряжение коллектор-база (VCBO) 80 V Максимальный постоянный ток коллектора 4 A
Рассеяние мощности 20 W Максимальная рабочая температура + 150 C
Вид монтажа SMD/SMT Упаковка / блок TO-252-3 (DPAK)
Упаковка Reel Непрерывный коллекторный ток 4 A
Коллектор постоянного тока/Мин. коэфф. усиления транзистора (hfe) 1000, 500 Минимальная рабочая температура - 65 C
Размер фабричной упаковки 2500

Популярные товары:

Изображение Название Производитель Описание Спецификация Кол-во  
LP5552TLEV LP5552TLEV National Semiconductor (TI) Средства разработки интегральных схем (ИС) управления питанием LP5552TL EVAL BOARD 9744603.pdf
H100CGDL H100CGDL --- Светодиодная индикация ---
YQB120N9.44 YQB120N9.44 --- Термисторы – положительный температурный коэффициент ---
84303 001500 84303 001500 --- Коаксиальный кабель ---
1582H6C1BK 1582H6C1BK --- Сетевые удлинители ---