MC1413DR2G

MC1413DR2G
Кол-во:
Заказать
Доставка: 2-3 недели
Название: MC1413DR2G
Описание: Transistors Darlington High Voltage High Current Darlington
Производитель: ON Semiconductor
Спецификация:
Детальное описание компонента MC1413DR2G
Конфигурация Array 7 Полярность транзистора NPN
Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. 50 V Максимальный постоянный ток коллектора 0.5 A
Максимальная рабочая температура + 85 C Вид монтажа SMD/SMT
Упаковка / блок SOIC-16 Упаковка Reel
Коллектор постоянного тока/Мин. коэфф. усиления транзистора (hfe) 1000 at 350 mA at 2 V Минимальная рабочая температура - 20 C
Размер фабричной упаковки 2500

Популярные товары:

Изображение Название Производитель Описание Спецификация Кол-во  
BYC5DX-500,127 BYC5DX-500,127 NXP Semiconductors Диоды (общего назначения, силовые, импульсные) PWR 500 V 5 A 3750330.pdf
IRGP4086PBF IRGP4086PBF International Rectifier Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) 300V 40A Ultra Fast 4822287.pdf
MAX5875EGK+TD MAX5875EGK+TD Maxim Integrated Products ЦАП (цифро-аналоговые преобразователи) 16-Bit 2Ch 200Msps DAC 2069067.pdf
SST29VE020-200-4C-NHE SST29VE020-200-4C-NHE --- Микросхемы памяти ---
REG71050DRVTG4 REG71050DRVTG4 --- Схемы управления питанием ---