MJD117T4

MJD117T4
Кол-во:
Заказать
Доставка: 2-3 недели
Название: MJD117T4
Описание: Transistors Darlington PNP Power Darlington
Производитель: STMicroelectronics
Спецификация: 9411254.pdf
Детальное описание компонента MJD117T4
Конфигурация Single Полярность транзистора NPN
Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. 100 V Напряжение эмиттер-база (VEBO) 5 V
Напряжение коллектор-база (VCBO) 100 V Максимальный постоянный ток коллектора 2 A
Максимальный ток отсечки коллектора 20 uA Максимальная рабочая температура + 150 C
Вид монтажа SMD/SMT Упаковка / блок TO-252
Упаковка Reel Коллектор постоянного тока/Мин. коэфф. усиления транзистора (hfe) 200
Размер фабричной упаковки 2500

Популярные товары:

Изображение Название Производитель Описание Спецификация Кол-во  
KIT912J637EVME KIT912J637EVME Freescale Semiconductor Средства разработки интегральных схем (ИС) управления питанием BATTERY SENSOR 912J637 ---
MC100EP58DTR2 MC100EP58DTR2 ON Semiconductor Кодеры, декодеры, мультиплексоры и демультиплексоры 3.3V/5V ECL 2:1 Mux ---
74HC283PW-T 74HC283PW-T NXP Semiconductors Логический сумматор и вычитатель 4-BIT FULL ADDER W/FAST CARRY 3543079.pdf
591-2801-002F 591-2801-002F --- Светодиодная индикация ---
PMR4BWDW2.0-CC PMR4BWDW2.0-CC --- Светодиодная индикация ---