MJD117T4

MJD117T4
Кол-во:
Заказать
Доставка: 2-3 недели
Название: MJD117T4
Описание: Transistors Darlington PNP Power Darlington
Производитель: STMicroelectronics
Спецификация: 9411254.pdf
Детальное описание компонента MJD117T4
Конфигурация Single Полярность транзистора NPN
Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. 100 V Напряжение эмиттер-база (VEBO) 5 V
Напряжение коллектор-база (VCBO) 100 V Максимальный постоянный ток коллектора 2 A
Максимальный ток отсечки коллектора 20 uA Максимальная рабочая температура + 150 C
Вид монтажа SMD/SMT Упаковка / блок TO-252
Упаковка Reel Коллектор постоянного тока/Мин. коэфф. усиления транзистора (hfe) 200
Размер фабричной упаковки 2500

Популярные товары:

Изображение Название Производитель Описание Спецификация Кол-во  
RGP10BEHE3/66 RGP10BEHE3/66 Vishay Semiconductors Диоды (общего назначения, силовые, импульсные) 1.0A 100 Volt 150ns 30 Amp IFSM 3795878.pdf
CAT28C64BK-12 CAT28C64BK-12 --- Микросхемы памяти ---
DG508ABK DG508ABK --- Коммутационные микросхемы ---
FLPR4.0-SR FLPR4.0-SR --- Светодиодная индикация ---
H11L2SR2VM H11L2SR2VM --- Оптопары и оптроны ---