MJE702G
Кол-во:
Заказать Доставка: 2-3 недели
|
|||
Название: | MJE702G | ||
Описание: | Transistors Darlington 4A 80V Bipolar Power PNP | ||
Производитель: | ON Semiconductor | ||
Спецификация: | |||
Детальное описание компонента MJE702G | |||
Конфигурация | Single | Полярность транзистора | PNP |
---|---|---|---|
Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. | 80 V | Напряжение эмиттер-база (VEBO) | 5 V |
Напряжение коллектор-база (VCBO) | 80 V | Максимальный постоянный ток коллектора | 4 A |
Максимальный ток отсечки коллектора | 100 uA | Максимальная рабочая температура | + 150 C |
Вид монтажа | SMD/SMT | Упаковка / блок | SO EIAJ |
Упаковка | Bulk | Коллектор постоянного тока/Мин. коэфф. усиления транзистора (hfe) | 100 |
Минимальная рабочая температура | - 55 C | Размер фабричной упаковки | 500 |
Популярные товары:
Изображение | Название | Производитель | Описание | Спецификация | Кол-во | |
---|---|---|---|---|---|---|
UJA1076TW/5V0,118 | NXP Semiconductors | ИС для интерфейса CAN High Speed CAN Core System Basis Chip | 9412594.pdf |
|
||
LCMXO2-256HC-6SG32IES | --- | Программируемые логические интегральные схемы | --- |
|
||
MAX388CJN | --- | Коммутационные микросхемы | --- |
|
||
XPERDO-L1-R250-00601 | --- | Светодиоды высокой мощности | --- |
|
||
SSR-90-W65S-R11-GM102 | --- | Светодиоды высокой мощности | --- |
|