MJ11022G

MJ11022G
Кол-во:
Заказать
Доставка: 2-3 недели
Название: MJ11022G
Описание: Transistors Darlington BIP T03 NPN 15A 250V
Производитель: ON Semiconductor
Спецификация:
Детальное описание компонента MJ11022G
Конфигурация Single Полярность транзистора NPN
Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. 250 V Напряжение эмиттер-база (VEBO) 50 V
Напряжение коллектор-база (VCBO) 250 V Максимальный постоянный ток коллектора 15 A
Максимальная рабочая температура + 175 C Вид монтажа Through Hole
Упаковка / блок TO-204 Упаковка Tray
Коллектор постоянного тока/Мин. коэфф. усиления транзистора (hfe) 100 at 15 A at 5 V Минимальная рабочая температура - 65 C
Размер фабричной упаковки 100

Популярные товары:

Изображение Название Производитель Описание Спецификация Кол-во  
THS7001EVM THS7001EVM Texas Instruments Средства разработки интегральных схем (ИС) усилителей THS7001 Hi-Spd Amp Eval Mod ---
PEX 8508-AC RDK PEX 8508-AC RDK PLX Technology Interface Development Tools PEX 8508 rapid development kit with x4 edge connector ---
NSB1706DMW5T1 NSB1706DMW5T1 ON Semiconductor Transistors Switching (Resistor Biased) 100mA 50V BRT NPN ---
NLVHC4538ADTR2 NLVHC4538ADTR2 --- Логические микросхемы ---
SN74CBT16213DLG4 SN74CBT16213DLG4 --- Коммутационные микросхемы ---