BD676G

BD676G
Кол-во:
Заказать
Доставка: 2-3 недели
Название: BD676G
Описание: Transistors Darlington 4A 45V 40W PNP
Производитель: ON Semiconductor
Спецификация:
Детальное описание компонента BD676G
Конфигурация Single Полярность транзистора PNP
Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. 45 V Напряжение эмиттер-база (VEBO) 5 V
Напряжение коллектор-база (VCBO) 45 V Максимальный постоянный ток коллектора 4 A
Максимальный ток отсечки коллектора 200 uA Максимальная рабочая температура + 150 C
Вид монтажа Through Hole Упаковка / блок TO-225
Упаковка Bulk Коллектор постоянного тока/Мин. коэфф. усиления транзистора (hfe) 750 at 1.5 A at 3 V
Минимальная рабочая температура - 55 C Размер фабричной упаковки 500

Популярные товары:

Изображение Название Производитель Описание Спецификация Кол-во  
TPS65810EVM TPS65810EVM Texas Instruments Средства разработки интегральных схем (ИС) управления питанием TPS65810 Eval Mod 9736113.pdf
74HCT1G08GW,125 74HCT1G08GW,125 NXP Semiconductors Вентили (И / И НЕ / ИЛИ / ИЛИ НЕ) 2-INPUT AND GATE 8114532.pdf
IS46DR16640A-3DBLA1-TR IS46DR16640A-3DBLA1-TR --- Микросхемы памяти ---
B57471V2472J062 B57471V2472J062 --- Термисторы – отрицательный температурный коэффициент ---
SSI-LXH9HD5V-180 SSI-LXH9HD5V-180 --- Светодиодная индикация ---