MJD112T4

MJD112T4
Кол-во:
Заказать
Доставка: 2-3 недели
Название: MJD112T4
Описание: Transistors Darlington NPN Power Darlington
Производитель: STMicroelectronics
Спецификация: 9405729.pdf9405730.pdf
Детальное описание компонента MJD112T4
Конфигурация Single Полярность транзистора NPN
Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. 100 V Напряжение эмиттер-база (VEBO) 5 V
Напряжение коллектор-база (VCBO) 100 V Максимальный постоянный ток коллектора 2 A
Максимальный ток отсечки коллектора 20 uA Максимальная рабочая температура + 150 C
Вид монтажа SMD/SMT Упаковка / блок TO-252
Упаковка Reel Коллектор постоянного тока/Мин. коэфф. усиления транзистора (hfe) 200
Размер фабричной упаковки 2500

Популярные товары:

Изображение Название Производитель Описание Спецификация Кол-во  
EBSFDCAXX-XT EBSFDCAXX-XT Taiyo Yuden Средства разработки Bluetooth / 802.15.1 EVAL BOARD FOR EYSFDCAXX-XT 839393.pdf
KBPM210G KBPM210G GeneSiC Semiconductor Мостовые выпрямители 1000V 2A Bridge Rectifier 2880931.pdf
NC7S14P5X NC7S14P5X Fairchild Semiconductor Инвертеры Inv w/ Schm Trig Inp 489820.pdf489839.pdf
M68AF127BL70MC1U M68AF127BL70MC1U --- Микросхемы памяти ---
FODM3052R4 FODM3052R4 --- Оптопары и оптроны ---