MJD112T4

MJD112T4
Кол-во:
Заказать
Доставка: 2-3 недели
Название: MJD112T4
Описание: Transistors Darlington NPN Power Darlington
Производитель: STMicroelectronics
Спецификация: 9405729.pdf9405730.pdf
Детальное описание компонента MJD112T4
Конфигурация Single Полярность транзистора NPN
Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. 100 V Напряжение эмиттер-база (VEBO) 5 V
Напряжение коллектор-база (VCBO) 100 V Максимальный постоянный ток коллектора 2 A
Максимальный ток отсечки коллектора 20 uA Максимальная рабочая температура + 150 C
Вид монтажа SMD/SMT Упаковка / блок TO-252
Упаковка Reel Коллектор постоянного тока/Мин. коэфф. усиления транзистора (hfe) 200
Размер фабричной упаковки 2500

Популярные товары:

Изображение Название Производитель Описание Спецификация Кол-во  
ZC930TA ZC930TA Diodes Inc. / Zetex Варакторные диоды Varicap Tuner 9224500.pdf
M29F032D70N6T M29F032D70N6T --- Микросхемы памяти ---
LFE3-35EA-8LFN672I LFE3-35EA-8LFN672I --- Программируемые логические интегральные схемы ---
10-3/4"X60YDS 10-3/4"X60YDS --- Ленты и мастики ---
BM222 BM222 --- Проверки изоляции и мегаомметры ---