MJD112T4

MJD112T4
Кол-во:
Заказать
Доставка: 2-3 недели
Название: MJD112T4
Описание: Transistors Darlington NPN Power Darlington
Производитель: STMicroelectronics
Спецификация: 9405729.pdf9405730.pdf
Детальное описание компонента MJD112T4
Конфигурация Single Полярность транзистора NPN
Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. 100 V Напряжение эмиттер-база (VEBO) 5 V
Напряжение коллектор-база (VCBO) 100 V Максимальный постоянный ток коллектора 2 A
Максимальный ток отсечки коллектора 20 uA Максимальная рабочая температура + 150 C
Вид монтажа SMD/SMT Упаковка / блок TO-252
Упаковка Reel Коллектор постоянного тока/Мин. коэфф. усиления транзистора (hfe) 200
Размер фабричной упаковки 2500

Популярные товары:

Изображение Название Производитель Описание Спецификация Кол-во  
P0900EBL P0900EBL Littelfuse Сидаки 100A 75V 178869.pdf
TLV5610IYE TLV5610IYE Texas Instruments ЦАП (цифро-аналоговые преобразователи) 2.7-5.5V 12-10-Bit Octal DAC 2774030.pdf
TMS320DM6467TZUT1 TMS320DM6467TZUT1 Texas Instruments Обработчики и контроллеры цифровых сигналов (DSP, DSC) Dig Media System-on- Chip 6006745.pdf
IH5141CJE IH5141CJE --- Коммутационные микросхемы ---
NTCS0805E3333HHT NTCS0805E3333HHT --- Термисторы – отрицательный температурный коэффициент ---