MJD112T4
Кол-во:
Заказать Доставка: 2-3 недели
|
|||
Название: | MJD112T4 | ||
Описание: | Transistors Darlington NPN Power Darlington | ||
Производитель: | STMicroelectronics | ||
Спецификация: | 9405729.pdf9405730.pdf | ||
Детальное описание компонента MJD112T4 | |||
Конфигурация | Single | Полярность транзистора | NPN |
---|---|---|---|
Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. | 100 V | Напряжение эмиттер-база (VEBO) | 5 V |
Напряжение коллектор-база (VCBO) | 100 V | Максимальный постоянный ток коллектора | 2 A |
Максимальный ток отсечки коллектора | 20 uA | Максимальная рабочая температура | + 150 C |
Вид монтажа | SMD/SMT | Упаковка / блок | TO-252 |
Упаковка | Reel | Коллектор постоянного тока/Мин. коэфф. усиления транзистора (hfe) | 200 |
Размер фабричной упаковки | 2500 |
Популярные товары:
Изображение | Название | Производитель | Описание | Спецификация | Кол-во | |
---|---|---|---|---|---|---|
EBSFDCAXX-XT | Taiyo Yuden | Средства разработки Bluetooth / 802.15.1 EVAL BOARD FOR EYSFDCAXX-XT | 839393.pdf |
|
||
KBPM210G | GeneSiC Semiconductor | Мостовые выпрямители 1000V 2A Bridge Rectifier | 2880931.pdf |
|
||
NC7S14P5X | Fairchild Semiconductor | Инвертеры Inv w/ Schm Trig Inp | 489820.pdf489839.pdf |
|
||
M68AF127BL70MC1U | --- | Микросхемы памяти | --- |
|
||
FODM3052R4 | --- | Оптопары и оптроны | --- |
|