MJD112T4

MJD112T4
Кол-во:
Заказать
Доставка: 2-3 недели
Название: MJD112T4
Описание: Transistors Darlington NPN Power Darlington
Производитель: STMicroelectronics
Спецификация: 9405729.pdf9405730.pdf
Детальное описание компонента MJD112T4
Конфигурация Single Полярность транзистора NPN
Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. 100 V Напряжение эмиттер-база (VEBO) 5 V
Напряжение коллектор-база (VCBO) 100 V Максимальный постоянный ток коллектора 2 A
Максимальный ток отсечки коллектора 20 uA Максимальная рабочая температура + 150 C
Вид монтажа SMD/SMT Упаковка / блок TO-252
Упаковка Reel Коллектор постоянного тока/Мин. коэфф. усиления транзистора (hfe) 200
Размер фабричной упаковки 2500

Популярные товары:

Изображение Название Производитель Описание Спецификация Кол-во  
507-3910-1433-600F 507-3910-1433-600F Dialight Лампы INCAND DATALITE ---
585-3323 585-3323 Dialight LED Источники света, не содержащие нитей накаливания BI-PIN BASED LED GR ---
CY7B994V-5BBXIT CY7B994V-5BBXIT --- RF Semiconductors ---
EL816(M)(B)-V EL816(M)(B)-V --- Оптопары и оптроны ---
V141HF34 V141HF34 --- Варисторы ---