2N6387G

2N6387G
Кол-во:
Заказать
Доставка: 2-3 недели
Название: 2N6387G
Описание: Transistors Darlington 10A 60V Bipolar Power NPN
Производитель: ON Semiconductor
Спецификация:
Детальное описание компонента 2N6387G
Конфигурация Single Полярность транзистора NPN
Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. 60 V Напряжение эмиттер-база (VEBO) 5 V
Напряжение коллектор-база (VCBO) 60 V Максимальный постоянный ток коллектора 10 A
Максимальный ток отсечки коллектора 1000 uA Максимальная рабочая температура + 150 C
Вид монтажа Through Hole Упаковка / блок TO-220-3
Упаковка Tube Коллектор постоянного тока/Мин. коэфф. усиления транзистора (hfe) 100
Минимальная рабочая температура - 65 C Размер фабричной упаковки 50

Популярные товары:

Изображение Название Производитель Описание Спецификация Кол-во  
ZTX614 ZTX614 Fairchild Semiconductor Transistors Darlington Low Sat Transistor 9415231.pdf
TMX320DM648ZUT7 TMX320DM648ZUT7 Texas Instruments Обработчики и контроллеры цифровых сигналов (DSP, DSC) Dig Media Processor ---
REF5045AID REF5045AID --- Схемы управления питанием ---
MC145026D MC145026D --- RF Semiconductors ---
17774 17774 --- Панельные измерительные приборы ---