MJ11016G

MJ11016G
Кол-во:
Заказать
Доставка: 2-3 недели
Название: MJ11016G
Описание: Transistors Darlington 30A 120V Bipolar Power NPN
Производитель: ON Semiconductor
Спецификация:
Детальное описание компонента MJ11016G
Конфигурация Single Полярность транзистора NPN
Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. 120 V Напряжение эмиттер-база (VEBO) 5 V
Напряжение коллектор-база (VCBO) 120 V Максимальный постоянный ток коллектора 30 A
Рассеяние мощности 200 W Максимальная рабочая температура + 150 C
Вид монтажа Through Hole Упаковка / блок TO-204-2 (TO-3)
Упаковка Tray Непрерывный коллекторный ток 30 A
Коллектор постоянного тока/Мин. коэфф. усиления транзистора (hfe) 200, 1000 Минимальная рабочая температура - 55 C
Размер фабричной упаковки 100

Популярные товары:

Изображение Название Производитель Описание Спецификация Кол-во  
E3F2-R2RB41-M-E E3F2-R2RB41-M-E --- Оптические детекторы и датчики ---
770902-6 770902-6 --- Прямоугольные разъемы ---
J15BLK J15BLK --- Сетевые удлинители ---
PFRA.090.009 PFRA.090.009 --- Самовосстанавливающиеся предохранители ---
RT78625 RT78625 --- Реле и модули ввода и вывода ---