MJ11016G

MJ11016G
Кол-во:
Заказать
Доставка: 2-3 недели
Название: MJ11016G
Описание: Transistors Darlington 30A 120V Bipolar Power NPN
Производитель: ON Semiconductor
Спецификация:
Детальное описание компонента MJ11016G
Конфигурация Single Полярность транзистора NPN
Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. 120 V Напряжение эмиттер-база (VEBO) 5 V
Напряжение коллектор-база (VCBO) 120 V Максимальный постоянный ток коллектора 30 A
Рассеяние мощности 200 W Максимальная рабочая температура + 150 C
Вид монтажа Through Hole Упаковка / блок TO-204-2 (TO-3)
Упаковка Tray Непрерывный коллекторный ток 30 A
Коллектор постоянного тока/Мин. коэфф. усиления транзистора (hfe) 200, 1000 Минимальная рабочая температура - 55 C
Размер фабричной упаковки 100

Популярные товары:

Изображение Название Производитель Описание Спецификация Кол-во  
PEX 8505-AA RDK KIT PEX 8505-AA RDK KIT PLX Technology Interface Development Tools PEX 8505 RDK with PCIe cable interfact, Expansion slot, 1 meter PCIe x1 cable, and Adapter card from host PC to x1 PCIe cable ---
TB2922HQ(O) TB2922HQ(O) Toshiba Усилители звука 2ch BTL Audio AMP P-ch N-ch DMOS Out-P ---
IS61QDB42M36-300M3LI IS61QDB42M36-300M3LI --- Микросхемы памяти ---
UUJ1C471MNL1MS UUJ1C471MNL1MS --- Конденсаторы ---
VA100026D580DL VA100026D580DL --- Варисторы ---