2N6052G

2N6052G
Кол-во:
Заказать
Доставка: 2-3 недели
Название: 2N6052G
Описание: Transistors Darlington 12A 100V Bipolar Power PNP
Производитель: ON Semiconductor
Спецификация: 9404744.pdf
Детальное описание компонента 2N6052G
Конфигурация Single Полярность транзистора PNP
Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. 100 V Напряжение эмиттер-база (VEBO) 5 V
Напряжение коллектор-база (VCBO) 100 V Максимальный постоянный ток коллектора 12 A
Максимальный ток отсечки коллектора 1000 uA Рассеяние мощности 150 W
Максимальная рабочая температура + 150 C Вид монтажа Through Hole
Упаковка / блок TO-204-2 (TO-3) Упаковка Tray
Непрерывный коллекторный ток 12 A Коллектор постоянного тока/Мин. коэфф. усиления транзистора (hfe) 100, 750
Минимальная рабочая температура - 65 C Размер фабричной упаковки 100

Популярные товары:

Изображение Название Производитель Описание Спецификация Кол-во  
NCP1606BOOSTGEVB NCP1606BOOSTGEVB ON Semiconductor Средства разработки интегральных схем (ИС) управления питанием OSPI NCP1606 100 W BOOST ---
T512F T512F Crydom Дискретные полупроводниковые модули THYRISTOR MODULE 240VAC 25ADC 240VP 4242239.pdf
TLC7524CNSRG4 TLC7524CNSRG4 Texas Instruments ЦАП (цифро-аналоговые преобразователи) 8-Bit 0.1 us MDAC Parallel Input 2456435.pdf
CAT24C512ZI-T3 CAT24C512ZI-T3 --- Микросхемы памяти ---
PS2533L-2 PS2533L-2 --- Оптопары и оптроны ---