MJD122T4G

MJD122T4G
Кол-во:
Заказать
Доставка: 2-3 недели
Название: MJD122T4G
Описание: Transistors Darlington 8A 100V Bipolar Power NPN
Производитель: ON Semiconductor
Спецификация:
Детальное описание компонента MJD122T4G
Конфигурация Single Полярность транзистора NPN
Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. 100 V Напряжение эмиттер-база (VEBO) 5 V
Напряжение коллектор-база (VCBO) 100 V Максимальный постоянный ток коллектора 8 A
Максимальный ток отсечки коллектора 10 uA Рассеяние мощности 20 W
Максимальная рабочая температура + 150 C Вид монтажа SMD/SMT
Упаковка / блок TO-252-3 (DPAK) Упаковка Reel
Непрерывный коллекторный ток 8 A Коллектор постоянного тока/Мин. коэфф. усиления транзистора (hfe) 100, 1000
Минимальная рабочая температура - 65 C Размер фабричной упаковки 2500

Популярные товары:

Изображение Название Производитель Описание Спецификация Кол-во  
AT28LV010-25JI AT28LV010-25JI --- Микросхемы памяти ---
35-2130 35-2130 --- Автоматические выключатели ---
W3A43C222KAT2A W3A43C222KAT2A --- Конденсаторы ---
573400D00010 573400D00010 --- Радиаторы ---
THS3024-TK THS3024-TK --- Осциллографы ---