MJD122T4G

MJD122T4G
Кол-во:
Заказать
Доставка: 2-3 недели
Название: MJD122T4G
Описание: Transistors Darlington 8A 100V Bipolar Power NPN
Производитель: ON Semiconductor
Спецификация:
Детальное описание компонента MJD122T4G
Конфигурация Single Полярность транзистора NPN
Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. 100 V Напряжение эмиттер-база (VEBO) 5 V
Напряжение коллектор-база (VCBO) 100 V Максимальный постоянный ток коллектора 8 A
Максимальный ток отсечки коллектора 10 uA Рассеяние мощности 20 W
Максимальная рабочая температура + 150 C Вид монтажа SMD/SMT
Упаковка / блок TO-252-3 (DPAK) Упаковка Reel
Непрерывный коллекторный ток 8 A Коллектор постоянного тока/Мин. коэфф. усиления транзистора (hfe) 100, 1000
Минимальная рабочая температура - 65 C Размер фабричной упаковки 2500

Популярные товары:

Изображение Название Производитель Описание Спецификация Кол-во  
FFM1600W-W FFM1600W-W Rectron Мостовые выпрямители GP Fast Rec Si Rect SMX,0.5A,1600v,300ns ---
FIN1101K8X_Q FIN1101K8X_Q Fairchild Semiconductor Шинные ресиверы 1 Port Repeater LVDS Hi Speed 6320505.pdf
4420.0608 4420.0608 --- Автоматические выключатели ---
MLCAWT-A1-0000-000X50 MLCAWT-A1-0000-000X50 --- Светодиоды высокой мощности ---
396-050-521-804 396-050-521-804 --- Прямоугольные разъемы ---