MJD122T4G

MJD122T4G
Кол-во:
Заказать
Доставка: 2-3 недели
Название: MJD122T4G
Описание: Transistors Darlington 8A 100V Bipolar Power NPN
Производитель: ON Semiconductor
Спецификация:
Детальное описание компонента MJD122T4G
Конфигурация Single Полярность транзистора NPN
Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. 100 V Напряжение эмиттер-база (VEBO) 5 V
Напряжение коллектор-база (VCBO) 100 V Максимальный постоянный ток коллектора 8 A
Максимальный ток отсечки коллектора 10 uA Рассеяние мощности 20 W
Максимальная рабочая температура + 150 C Вид монтажа SMD/SMT
Упаковка / блок TO-252-3 (DPAK) Упаковка Reel
Непрерывный коллекторный ток 8 A Коллектор постоянного тока/Мин. коэфф. усиления транзистора (hfe) 100, 1000
Минимальная рабочая температура - 65 C Размер фабричной упаковки 2500

Популярные товары:

Изображение Название Производитель Описание Спецификация Кол-во  
DM300017 DM300017 Microchip Technology Макетные платы и комплекты - PIC / DSPIC dsPICDEM 28P Starter ---
CD74HC192PWE4 CD74HC192PWE4 Texas Instruments ИС, счетчики Hi-Sp CMOS Pre Sync Up/Dwn w/ASync Reset 4940420.pdf
V62/04688-01YE V62/04688-01YE Texas Instruments Вентили (И / И НЕ / ИЛИ / ИЛИ НЕ) Mil Enh Tr 3-Inp Pos-NAND Gates 8155434.pdf
LM4128AMFX-1.8/NOPB LM4128AMFX-1.8/NOPB --- Схемы управления питанием ---
TPS40001DGQRG4 TPS40001DGQRG4 --- Схемы управления питанием ---