MJD122T4G

MJD122T4G
Кол-во:
Заказать
Доставка: 2-3 недели
Название: MJD122T4G
Описание: Transistors Darlington 8A 100V Bipolar Power NPN
Производитель: ON Semiconductor
Спецификация:
Детальное описание компонента MJD122T4G
Конфигурация Single Полярность транзистора NPN
Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. 100 V Напряжение эмиттер-база (VEBO) 5 V
Напряжение коллектор-база (VCBO) 100 V Максимальный постоянный ток коллектора 8 A
Максимальный ток отсечки коллектора 10 uA Рассеяние мощности 20 W
Максимальная рабочая температура + 150 C Вид монтажа SMD/SMT
Упаковка / блок TO-252-3 (DPAK) Упаковка Reel
Непрерывный коллекторный ток 8 A Коллектор постоянного тока/Мин. коэфф. усиления транзистора (hfe) 100, 1000
Минимальная рабочая температура - 65 C Размер фабричной упаковки 2500

Популярные товары:

Изображение Название Производитель Описание Спецификация Кол-во  
DV164139 DV164139 Microchip Technology Макетные платы и комплекты - PIC / DSPIC Lo PIn Count USB Dev Kit (w/PICkit 3) 9198616.pdf
J112 AMO J112 AMO NXP Semiconductors JFET AMMORA FET-RFSS ---
CD74HC32EE4 CD74HC32EE4 Texas Instruments Вентили (И / И НЕ / ИЛИ / ИЛИ НЕ) Hi-Speed CMOS Logic Quad 2-Inp OR Gate 8261343.pdf
74LVC1G00GW,165 74LVC1G00GW,165 NXP Semiconductors Вентили (И / И НЕ / ИЛИ / ИЛИ НЕ) SINGLE 2-INPUT NAND 8690495.pdf
MAX6005EUR+T MAX6005EUR+T --- Схемы управления питанием ---