MJD44E3T4G

MJD44E3T4G
Кол-во:
Заказать
Доставка: 2-3 недели
Название: MJD44E3T4G
Описание: Transistors Darlington 10A 80V 20W NPN
Производитель: ON Semiconductor
Спецификация:
Детальное описание компонента MJD44E3T4G
Конфигурация Single Полярность транзистора NPN
Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. 80 V Напряжение эмиттер-база (VEBO) 7 V
Максимальный постоянный ток коллектора 10 A Максимальный ток отсечки коллектора 10 uA
Максимальная рабочая температура + 150 C Вид монтажа SMD/SMT
Упаковка / блок DPAK Упаковка Reel
Коллектор постоянного тока/Мин. коэфф. усиления транзистора (hfe) 1000 at 5 A at 5 V Минимальная рабочая температура - 55 C
Размер фабричной упаковки 2500

Популярные товары:

Изображение Название Производитель Описание Спецификация Кол-во  
PTFA190451E V4 PTFA190451E V4 Infineon Technologies РЧ транзисторы, МОП-структура RFP-LDMOS GOLDMOS 8 ---
74ACT10MTC_Q 74ACT10MTC_Q Fairchild Semiconductor Вентили (И / И НЕ / ИЛИ / ИЛИ НЕ) Trp 3-Inp NAND Gate ---
LTST-S220KFKT LTST-S220KFKT --- Светодиодная индикация ---
EL357N(TA)-VG EL357N(TA)-VG --- Оптопары и оптроны ---
T521V476M016ATE080 T521V476M016ATE080 --- Конденсаторы ---