MJ11012G

MJ11012G
Кол-во:
Заказать
Доставка: 2-3 недели
Название: MJ11012G
Описание: Transistors Darlington 30A 60V Bipolar Power NPN
Производитель: ON Semiconductor
Спецификация:
Детальное описание компонента MJ11012G
Конфигурация Single Полярность транзистора NPN
Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. 60 V Напряжение эмиттер-база (VEBO) 5 V
Напряжение коллектор-база (VCBO) 60 V Максимальный постоянный ток коллектора 30 A
Рассеяние мощности 200 W Максимальная рабочая температура + 150 C
Вид монтажа Through Hole Упаковка / блок TO-204-2 (TO-3)
Упаковка Tray Непрерывный коллекторный ток 30 A
Коллектор постоянного тока/Мин. коэфф. усиления транзистора (hfe) 200, 1000 Минимальная рабочая температура - 55 C
Размер фабричной упаковки 100

Популярные товары:

Изображение Название Производитель Описание Спецификация Кол-во  
SRC4190IDBG4 SRC4190IDBG4 Texas Instruments Преобразователи частоты дискретизации звука 192kHz St Asynch Smpl Rate Converters 6030620.pdf
IS61WV12816DBLL-10TLI IS61WV12816DBLL-10TLI --- Микросхемы памяти ---
NCV3843BVDR2G NCV3843BVDR2G --- Схемы управления питанием ---
941-235 941-235 --- Светодиодная индикация ---
ELM 3-405 ELM 3-405 --- Светодиодная индикация ---