MJ11012G

MJ11012G
Кол-во:
Заказать
Доставка: 2-3 недели
Название: MJ11012G
Описание: Transistors Darlington 30A 60V Bipolar Power NPN
Производитель: ON Semiconductor
Спецификация:
Детальное описание компонента MJ11012G
Конфигурация Single Полярность транзистора NPN
Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. 60 V Напряжение эмиттер-база (VEBO) 5 V
Напряжение коллектор-база (VCBO) 60 V Максимальный постоянный ток коллектора 30 A
Рассеяние мощности 200 W Максимальная рабочая температура + 150 C
Вид монтажа Through Hole Упаковка / блок TO-204-2 (TO-3)
Упаковка Tray Непрерывный коллекторный ток 30 A
Коллектор постоянного тока/Мин. коэфф. усиления транзистора (hfe) 200, 1000 Минимальная рабочая температура - 55 C
Размер фабричной упаковки 100

Популярные товары:

Изображение Название Производитель Описание Спецификация Кол-во  
SN74LS684NSRG4 SN74LS684NSRG4 Texas Instruments ИС, компараторы 8B Identity Magnitude Comparator 9515341.pdf
SN65C3221EPWRG4 SN65C3221EPWRG4 Texas Instruments ИС, интерфейс RS-232 3V To 5.5V MultiCh RS-232 5501672.pdf
MPY634KUE4 MPY634KUE4 Texas Instruments Мультипликаторы/редукторы Wide BW Prec Ana Multiplier 3981611.pdf
ML483-G ML483-G --- RF Semiconductors ---
PLD-25-700 PLD-25-700 --- LED Drivers Power Supplies ---