MJ11012G

MJ11012G
Кол-во:
Заказать
Доставка: 2-3 недели
Название: MJ11012G
Описание: Transistors Darlington 30A 60V Bipolar Power NPN
Производитель: ON Semiconductor
Спецификация:
Детальное описание компонента MJ11012G
Конфигурация Single Полярность транзистора NPN
Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. 60 V Напряжение эмиттер-база (VEBO) 5 V
Напряжение коллектор-база (VCBO) 60 V Максимальный постоянный ток коллектора 30 A
Рассеяние мощности 200 W Максимальная рабочая температура + 150 C
Вид монтажа Through Hole Упаковка / блок TO-204-2 (TO-3)
Упаковка Tray Непрерывный коллекторный ток 30 A
Коллектор постоянного тока/Мин. коэфф. усиления транзистора (hfe) 200, 1000 Минимальная рабочая температура - 55 C
Размер фабричной упаковки 100

Популярные товары:

Изображение Название Производитель Описание Спецификация Кол-во  
IRG4PC60FPBF IRG4PC60FPBF International Rectifier Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) 600V Fast 1-8kHz 4806117.pdf
LV3313PM-TLM-E LV3313PM-TLM-E ON Semiconductor Усилители звука ELECTRONIC VOLUME ---
LTA-1000HR LTA-1000HR --- Светодиодная индикация ---
4318F7 4318F7 --- Светодиодная индикация ---
SSL-LX25783GYW-TD SSL-LX25783GYW-TD --- Светодиодная индикация ---