2N6667G

2N6667G
Кол-во:
Заказать
Доставка: 2-3 недели
Название: 2N6667G
Описание: Transistors Darlington 10A 60V Bipolar Power PNP
Производитель: ON Semiconductor
Спецификация: 9402121.pdf
Детальное описание компонента 2N6667G
Конфигурация Single Полярность транзистора PNP
Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. 60 V Напряжение эмиттер-база (VEBO) 5 V
Напряжение коллектор-база (VCBO) 60 V Максимальный постоянный ток коллектора 10 A
Максимальный ток отсечки коллектора 1000 uA Рассеяние мощности 65 W
Максимальная рабочая температура + 150 C Вид монтажа Through Hole
Упаковка / блок TO-220-3 Упаковка Tube
Непрерывный коллекторный ток 10 A Коллектор постоянного тока/Мин. коэфф. усиления транзистора (hfe) 1000
Минимальная рабочая температура - 65 C Размер фабричной упаковки 50

Популярные товары:

Изображение Название Производитель Описание Спецификация Кол-во  
553-0132-200F 553-0132-200F --- Светодиодная индикация ---
940-440 940-440 --- Светодиодная индикация ---
MX6AWT-H1-R250-0009A7 MX6AWT-H1-R250-0009A7 --- Светодиоды высокой мощности ---
TX1329 TX1329 --- Трансформаторы сигналов ---
FP-301-3/32-Green-4'-Box FP-301-3/32-Green-4'-Box --- Рубки и рукава ---