2N6667G

2N6667G
Кол-во:
Заказать
Доставка: 2-3 недели
Название: 2N6667G
Описание: Transistors Darlington 10A 60V Bipolar Power PNP
Производитель: ON Semiconductor
Спецификация: 9402121.pdf
Детальное описание компонента 2N6667G
Конфигурация Single Полярность транзистора PNP
Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. 60 V Напряжение эмиттер-база (VEBO) 5 V
Напряжение коллектор-база (VCBO) 60 V Максимальный постоянный ток коллектора 10 A
Максимальный ток отсечки коллектора 1000 uA Рассеяние мощности 65 W
Максимальная рабочая температура + 150 C Вид монтажа Through Hole
Упаковка / блок TO-220-3 Упаковка Tube
Непрерывный коллекторный ток 10 A Коллектор постоянного тока/Мин. коэфф. усиления транзистора (hfe) 1000
Минимальная рабочая температура - 65 C Размер фабричной упаковки 50

Популярные товары:

Изображение Название Производитель Описание Спецификация Кол-во  
LCD-S301C31TR-3 LCD-S301C31TR-3 Lumex Цифровые дисплейные ЖК-модули .31" Ch. Ht Triple Digit Reflective 5485381.pdf
MAX4016ESA+ MAX4016ESA+ Maxim Integrated Products Быстродействующие операционные усилители High-Speed Single Supply 725020.pdf725044.pdf
IS41LV16100B-60TI IS41LV16100B-60TI --- Микросхемы памяти ---
SSL-LX507DT3GT SSL-LX507DT3GT --- Светодиодная индикация ---
DEHR33A102KN2A DEHR33A102KN2A --- Конденсаторы ---