2N6667G

2N6667G
Кол-во:
Заказать
Доставка: 2-3 недели
Название: 2N6667G
Описание: Transistors Darlington 10A 60V Bipolar Power PNP
Производитель: ON Semiconductor
Спецификация: 9402121.pdf
Детальное описание компонента 2N6667G
Конфигурация Single Полярность транзистора PNP
Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. 60 V Напряжение эмиттер-база (VEBO) 5 V
Напряжение коллектор-база (VCBO) 60 V Максимальный постоянный ток коллектора 10 A
Максимальный ток отсечки коллектора 1000 uA Рассеяние мощности 65 W
Максимальная рабочая температура + 150 C Вид монтажа Through Hole
Упаковка / блок TO-220-3 Упаковка Tube
Непрерывный коллекторный ток 10 A Коллектор постоянного тока/Мин. коэфф. усиления транзистора (hfe) 1000
Минимальная рабочая температура - 65 C Размер фабричной упаковки 50

Популярные товары:

Изображение Название Производитель Описание Спецификация Кол-во  
SN75182N SN75182N Texas Instruments Шинные ресиверы Dual Diff Line Rec 6309921.pdf
CBT3257AD-T CBT3257AD-T NXP Semiconductors Кодеры, декодеры, мультиплексоры и демультиплексоры QUAD 1OF2 MULTIPLXR/ DEMUX 3850868.pdf
MC10EP131FAR2G MC10EP131FAR2G ON Semiconductor Триггеры 3.3V/5V ECL Quad D-Type ---
M74HC4002B1R M74HC4002B1R STMicroelectronics Вентили (И / И НЕ / ИЛИ / ИЛИ НЕ) Dual 4-Input NOR ---
569-0312-300F 569-0312-300F --- Светодиодная индикация ---