2N6667G

2N6667G
Кол-во:
Заказать
Доставка: 2-3 недели
Название: 2N6667G
Описание: Transistors Darlington 10A 60V Bipolar Power PNP
Производитель: ON Semiconductor
Спецификация: 9402121.pdf
Детальное описание компонента 2N6667G
Конфигурация Single Полярность транзистора PNP
Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. 60 V Напряжение эмиттер-база (VEBO) 5 V
Напряжение коллектор-база (VCBO) 60 V Максимальный постоянный ток коллектора 10 A
Максимальный ток отсечки коллектора 1000 uA Рассеяние мощности 65 W
Максимальная рабочая температура + 150 C Вид монтажа Through Hole
Упаковка / блок TO-220-3 Упаковка Tube
Непрерывный коллекторный ток 10 A Коллектор постоянного тока/Мин. коэфф. усиления транзистора (hfe) 1000
Минимальная рабочая температура - 65 C Размер фабричной упаковки 50

Популярные товары:

Изображение Название Производитель Описание Спецификация Кол-во  
AP-SAFD18DPA016GS-HT AP-SAFD18DPA016GS-HT Apacer Твердотельные накопители (SSD) SAFD 18S SATA FLASH DRIVE SLC 16GB STD 1746847.pdf
74HC4520N 74HC4520N NXP Semiconductors ИС, счетчики DUAL 4-BIT SYNC BINARY COUNTER 4958014.pdf
Si8445BB-C-IS1R Si8445BB-C-IS1R Silicon Labs ИС, развязывающий интерфейс QuadCh 2.5kV Isolatr 150M 4/0 7734914.pdf
MC100EPT23DT MC100EPT23DT ON Semiconductor Трансляция - уровни напряжения 3.3V Dual Diff ---
AIF803814 AIF803814 --- Вентиляторы и нагнетатели воздуха ---