2N6667G

2N6667G
Кол-во:
Заказать
Доставка: 2-3 недели
Название: 2N6667G
Описание: Transistors Darlington 10A 60V Bipolar Power PNP
Производитель: ON Semiconductor
Спецификация: 9402121.pdf
Детальное описание компонента 2N6667G
Конфигурация Single Полярность транзистора PNP
Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. 60 V Напряжение эмиттер-база (VEBO) 5 V
Напряжение коллектор-база (VCBO) 60 V Максимальный постоянный ток коллектора 10 A
Максимальный ток отсечки коллектора 1000 uA Рассеяние мощности 65 W
Максимальная рабочая температура + 150 C Вид монтажа Through Hole
Упаковка / блок TO-220-3 Упаковка Tube
Непрерывный коллекторный ток 10 A Коллектор постоянного тока/Мин. коэфф. усиления транзистора (hfe) 1000
Минимальная рабочая температура - 65 C Размер фабричной упаковки 50

Популярные товары:

Изображение Название Производитель Описание Спецификация Кол-во  
MAX3162CAI MAX3162CAI Maxim Integrated Products ИС интерфейса RS-422/RS-485 6020487.pdf
TC7SHU04FSTPL3 TC7SHU04FSTPL3 Toshiba Инвертеры L-MOS Inverter Unbuffer x 1 ---
S29JL064H70TFI003 S29JL064H70TFI003 --- Микросхемы памяти ---
B66395G2500X127 B66395G2500X127 --- ЭМП и РЧП ---
62-ARL-045-3-11 62-ARL-045-3-11 --- Модули подачи питания ---