MJD112G

MJD112G
Кол-во:
Заказать
На складе 1-2 недели
Название: MJD112G
Описание: Transistors Darlington 2A 100V Bipolar Power NPN
Производитель: ON Semiconductor
Спецификация: 9401875.pdf
Детальное описание компонента MJD112G
Конфигурация Single Полярность транзистора NPN
Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. 100 V Напряжение эмиттер-база (VEBO) 5 V
Напряжение коллектор-база (VCBO) 100 V Максимальный постоянный ток коллектора 2 A
Максимальный ток отсечки коллектора 20 uA Рассеяние мощности 20 W
Максимальная рабочая температура + 150 C Вид монтажа SMD/SMT
Упаковка / блок TO-252-3 (DPAK) Упаковка Tube
Непрерывный коллекторный ток 2 A Коллектор постоянного тока/Мин. коэфф. усиления транзистора (hfe) 1000
Минимальная рабочая температура - 65 C Размер фабричной упаковки 75
stock_1_2_week 300

Популярные товары:

Изображение Название Производитель Описание Спецификация Кол-во  
T435-700B-TR T435-700B-TR STMicroelectronics Триаки 4A TRIACS 238927.pdf
DS3102GN+ DS3102GN+ Maxim Integrated Products Таймеры и сопутствующая продукция Not Available From Mouser 6856680.pdf
MAX6442KAORRD7-T MAX6442KAORRD7-T --- Схемы управления питанием ---
MC79L05ACLPE3 MC79L05ACLPE3 --- Схемы управления питанием ---
BBR450S BBR450S --- Самовосстанавливающиеся предохранители ---