MJD112G

MJD112G
Кол-во:
Заказать
На складе 1-2 недели
Название: MJD112G
Описание: Transistors Darlington 2A 100V Bipolar Power NPN
Производитель: ON Semiconductor
Спецификация: 9401875.pdf
Детальное описание компонента MJD112G
Конфигурация Single Полярность транзистора NPN
Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. 100 V Напряжение эмиттер-база (VEBO) 5 V
Напряжение коллектор-база (VCBO) 100 V Максимальный постоянный ток коллектора 2 A
Максимальный ток отсечки коллектора 20 uA Рассеяние мощности 20 W
Максимальная рабочая температура + 150 C Вид монтажа SMD/SMT
Упаковка / блок TO-252-3 (DPAK) Упаковка Tube
Непрерывный коллекторный ток 2 A Коллектор постоянного тока/Мин. коэфф. усиления транзистора (hfe) 1000
Минимальная рабочая температура - 65 C Размер фабричной упаковки 75
stock_1_2_week 300

Популярные товары:

Изображение Название Производитель Описание Спецификация Кол-во  
STGY50NB60HD STGY50NB60HD STMicroelectronics Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) N-Ch 600 Volt 50 Amp ---
SN74F38NSRE4 SN74F38NSRE4 Texas Instruments Вентили (И / И НЕ / ИЛИ / ИЛИ НЕ) Quad 2-input pos-NAND buffers 7985588.pdf
MAX6442KAFHWD3+T MAX6442KAFHWD3+T --- Схемы управления питанием ---
351-MP075-G 351-MP075-G --- Светодиодная индикация ---
VB027(6)-12 VB027(6)-12 --- Схемы управления питанием ---