MJD112G

MJD112G
Кол-во:
Заказать
На складе 1-2 недели
Название: MJD112G
Описание: Transistors Darlington 2A 100V Bipolar Power NPN
Производитель: ON Semiconductor
Спецификация: 9401875.pdf
Детальное описание компонента MJD112G
Конфигурация Single Полярность транзистора NPN
Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. 100 V Напряжение эмиттер-база (VEBO) 5 V
Напряжение коллектор-база (VCBO) 100 V Максимальный постоянный ток коллектора 2 A
Максимальный ток отсечки коллектора 20 uA Рассеяние мощности 20 W
Максимальная рабочая температура + 150 C Вид монтажа SMD/SMT
Упаковка / блок TO-252-3 (DPAK) Упаковка Tube
Непрерывный коллекторный ток 2 A Коллектор постоянного тока/Мин. коэфф. усиления транзистора (hfe) 1000
Минимальная рабочая температура - 65 C Размер фабричной упаковки 75
stock_1_2_week 300

Популярные товары:

Изображение Название Производитель Описание Спецификация Кол-во  
BA282-TR BA282-TR Vishay Semiconductors Диоды (общего назначения, силовые, импульсные) 100mA 35 Volt Band ---
169-1197-300 169-1197-300 Dialight Световые панельные индикаторы MIN PANEL IND ---
ISP1105W,118 ISP1105W,118 --- RF Semiconductors ---
H-P44 H-P44 --- Инструменты ---
AIF691001 AIF691001 --- Вентиляторы и нагнетатели воздуха ---