MJD112G

MJD112G
Кол-во:
Заказать
На складе 1-2 недели
Название: MJD112G
Описание: Transistors Darlington 2A 100V Bipolar Power NPN
Производитель: ON Semiconductor
Спецификация: 9401875.pdf
Детальное описание компонента MJD112G
Конфигурация Single Полярность транзистора NPN
Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. 100 V Напряжение эмиттер-база (VEBO) 5 V
Напряжение коллектор-база (VCBO) 100 V Максимальный постоянный ток коллектора 2 A
Максимальный ток отсечки коллектора 20 uA Рассеяние мощности 20 W
Максимальная рабочая температура + 150 C Вид монтажа SMD/SMT
Упаковка / блок TO-252-3 (DPAK) Упаковка Tube
Непрерывный коллекторный ток 2 A Коллектор постоянного тока/Мин. коэфф. усиления транзистора (hfe) 1000
Минимальная рабочая температура - 65 C Размер фабричной упаковки 75
stock_1_2_week 300

Популярные товары:

Изображение Название Производитель Описание Спецификация Кол-во  
INV5C INV5C Seiko Instruments Инверторы EL/CCFL и аксессуары Inv for L1692 L1634 ---
BVC-BASE-P2-N BVC-BASE-P2-N Lattice Программное обеспечение для разработки Basic Video CTRL ECP2 ---
ANT-868-PW-LP ANT-868-PW-LP Linx Technologies Антенны Perm Mnt Reducd Ht 1/4 Wave Whip 868MHz 255757.pdf255758.pdf
FT2232HL-TRAY FT2232HL-TRAY FTDI ИС, интерфейс USB USB HS to Dual UART/ FIFO/SPI/JTAG/I2C 6286985.pdf
SSL-LX509F3YGW SSL-LX509F3YGW --- Светодиодная индикация ---