MJD112G
Кол-во:
Заказать На складе 1-2 недели
|
|||
Название: | MJD112G | ||
Описание: | Transistors Darlington 2A 100V Bipolar Power NPN | ||
Производитель: | ON Semiconductor | ||
Спецификация: | 9401875.pdf | ||
Детальное описание компонента MJD112G | |||
Конфигурация | Single | Полярность транзистора | NPN |
---|---|---|---|
Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. | 100 V | Напряжение эмиттер-база (VEBO) | 5 V |
Напряжение коллектор-база (VCBO) | 100 V | Максимальный постоянный ток коллектора | 2 A |
Максимальный ток отсечки коллектора | 20 uA | Рассеяние мощности | 20 W |
Максимальная рабочая температура | + 150 C | Вид монтажа | SMD/SMT |
Упаковка / блок | TO-252-3 (DPAK) | Упаковка | Tube |
Непрерывный коллекторный ток | 2 A | Коллектор постоянного тока/Мин. коэфф. усиления транзистора (hfe) | 1000 |
Минимальная рабочая температура | - 65 C | Размер фабричной упаковки | 75 |
stock_1_2_week | 300 |
Популярные товары:
Изображение | Название | Производитель | Описание | Спецификация | Кол-во | |
---|---|---|---|---|---|---|
MAX16814BEUP+ | Maxim Integrated Products | LED Drivers 4Ch HB Drvr w/High-V DC/DC Controller | 4366090.pdf |
|
||
TB5R1DE4 | Texas Instruments | ИС интерфейса LVDS Quad PECL Line Receiver | 6326984.pdf |
|
||
PI6C2504AQEX | --- | RF Semiconductors | --- |
|
||
TPS2015PE4 | --- | Коммутационные микросхемы | --- |
|
||
CD4825D3V | --- | Оптопары и оптроны | --- |
|