MJD128T4G

MJD128T4G
Кол-во:
Заказать
Доставка: 2-3 недели
Название: MJD128T4G
Описание: Transistors Darlington BIP PNP 8A 120V TR
Производитель: ON Semiconductor
Спецификация:
Детальное описание компонента MJD128T4G
Конфигурация Single Полярность транзистора PNP
Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. 120 V Напряжение эмиттер-база (VEBO) 5 V
Напряжение коллектор-база (VCBO) 120 V Максимальный постоянный ток коллектора 8 A
Максимальный ток отсечки коллектора 10 uA Максимальная рабочая температура + 150 C
Вид монтажа SMD/SMT Упаковка / блок DPAK
Упаковка Reel Коллектор постоянного тока/Мин. коэфф. усиления транзистора (hfe) 1000 at 4 A at 4 V, 100 at 8 A at 4 V
Минимальная рабочая температура - 65 C Размер фабричной упаковки 2500

Популярные товары:

Изображение Название Производитель Описание Спецификация Кол-во  
BFN 18 E6327 BFN 18 E6327 Infineon Technologies Transistors Switching (Resistor Biased) NPN Silicon Hi-Volt TRANSISTOR ---
CAT24C512WI-GT3 CAT24C512WI-GT3 --- Микросхемы памяти ---
CAT28C65BJA-12 CAT28C65BJA-12 --- Микросхемы памяти ---
MAX8969EWL42+T MAX8969EWL42+T --- Схемы управления питанием ---
PCI-T32-PM-U6 PCI-T32-PM-U6 --- Программируемые логические интегральные схемы ---