MJD128T4G
|
Кол-во:
Заказать Доставка: 2-3 недели
|
||
| Название: | MJD128T4G | ||
| Описание: | Transistors Darlington BIP PNP 8A 120V TR | ||
| Производитель: | ON Semiconductor | ||
| Спецификация: | |||
| Детальное описание компонента MJD128T4G | |||
| Конфигурация | Single | Полярность транзистора | PNP |
|---|---|---|---|
| Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. | 120 V | Напряжение эмиттер-база (VEBO) | 5 V |
| Напряжение коллектор-база (VCBO) | 120 V | Максимальный постоянный ток коллектора | 8 A |
| Максимальный ток отсечки коллектора | 10 uA | Максимальная рабочая температура | + 150 C |
| Вид монтажа | SMD/SMT | Упаковка / блок | DPAK |
| Упаковка | Reel | Коллектор постоянного тока/Мин. коэфф. усиления транзистора (hfe) | 1000 at 4 A at 4 V, 100 at 8 A at 4 V |
| Минимальная рабочая температура | - 65 C | Размер фабричной упаковки | 2500 |
Популярные товары:
| Изображение | Название | Производитель | Описание | Спецификация | Кол-во | |
|---|---|---|---|---|---|---|
 |
INV-TH-205 | Seiko Instruments | Инверторы EL/CCFL и аксессуары 5V Inv (EL) G2436 | --- |
|
|
 |
BFQ540,115 | NXP Semiconductors | РЧ транзисторы, биполярные, малого сигнала TAPE-7 TNS-RFSS | 5329673.pdf |
|
|
 |
CQY37N | Vishay Semiconductors | Инфракрасные излучатели GaAs IR EMIT DIODE | 6168918.pdf6168919.pdf |
|
|
|
|
037-0111-300 | --- | Лампы и держатели | --- |
|
|
|
|
NCV3163MNR2G | --- | Схемы управления питанием | --- |
|