MJD128T4G
Кол-во:
Заказать Доставка: 2-3 недели
|
|||
Название: | MJD128T4G | ||
Описание: | Transistors Darlington BIP PNP 8A 120V TR | ||
Производитель: | ON Semiconductor | ||
Спецификация: | |||
Детальное описание компонента MJD128T4G | |||
Конфигурация | Single | Полярность транзистора | PNP |
---|---|---|---|
Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. | 120 V | Напряжение эмиттер-база (VEBO) | 5 V |
Напряжение коллектор-база (VCBO) | 120 V | Максимальный постоянный ток коллектора | 8 A |
Максимальный ток отсечки коллектора | 10 uA | Максимальная рабочая температура | + 150 C |
Вид монтажа | SMD/SMT | Упаковка / блок | DPAK |
Упаковка | Reel | Коллектор постоянного тока/Мин. коэфф. усиления транзистора (hfe) | 1000 at 4 A at 4 V, 100 at 8 A at 4 V |
Минимальная рабочая температура | - 65 C | Размер фабричной упаковки | 2500 |
Популярные товары:
Изображение | Название | Производитель | Описание | Спецификация | Кол-во | |
---|---|---|---|---|---|---|
BFN 18 E6327 | Infineon Technologies | Transistors Switching (Resistor Biased) NPN Silicon Hi-Volt TRANSISTOR | --- |
|
||
CAT24C512WI-GT3 | --- | Микросхемы памяти | --- |
|
||
CAT28C65BJA-12 | --- | Микросхемы памяти | --- |
|
||
MAX8969EWL42+T | --- | Схемы управления питанием | --- |
|
||
PCI-T32-PM-U6 | --- | Программируемые логические интегральные схемы | --- |
|