NCV1413BDR2G
|
Кол-во:
Заказать Доставка: 2-3 недели
|
||
| Название: | NCV1413BDR2G | ||
| Описание: | Transistors Darlington High Voltage High Current Darlington | ||
| Производитель: | ON Semiconductor | ||
| Спецификация: | |||
| Детальное описание компонента NCV1413BDR2G | |||
| Конфигурация | Array 7 | Полярность транзистора | NPN |
|---|---|---|---|
| Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. | 50 V | Максимальный постоянный ток коллектора | 0.5 A |
| Максимальная рабочая температура | + 125 C | Вид монтажа | SMD/SMT |
| Упаковка / блок | SOIC-16 | Упаковка | Reel |
| Коллектор постоянного тока/Мин. коэфф. усиления транзистора (hfe) | 1000 at 350 mA at 2 V | Минимальная рабочая температура | - 40 C |
| Размер фабричной упаковки | 2500 | ||
Популярные товары:
| Изображение | Название | Производитель | Описание | Спецификация | Кол-во | |
|---|---|---|---|---|---|---|
 |
MAX6441KALRRD3+T | --- | Схемы управления питанием | --- |
|
|
|
|
TDA5235 | --- | RF Semiconductors | --- |
|
|
|
|
RA49B11 | --- | Аудио и видео разъемы | --- |
|
|
|
|
CP2-HAB095-GE1-FJ | --- | Прямоугольные разъемы | --- |
|
|
|
|
38331-8012 | --- | Прямоугольные разъемы | --- |
|