NCV1413BDR2G

NCV1413BDR2G
Кол-во:
Заказать
Доставка: 2-3 недели
Название: NCV1413BDR2G
Описание: Transistors Darlington High Voltage High Current Darlington
Производитель: ON Semiconductor
Спецификация:
Детальное описание компонента NCV1413BDR2G
Конфигурация Array 7 Полярность транзистора NPN
Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. 50 V Максимальный постоянный ток коллектора 0.5 A
Максимальная рабочая температура + 125 C Вид монтажа SMD/SMT
Упаковка / блок SOIC-16 Упаковка Reel
Коллектор постоянного тока/Мин. коэфф. усиления транзистора (hfe) 1000 at 350 mA at 2 V Минимальная рабочая температура - 40 C
Размер фабричной упаковки 2500

Популярные товары:

Изображение Название Производитель Описание Спецификация Кол-во  
MAX485EESA MAX485EESA Maxim Integrated Products ИС интерфейса RS-422/RS-485 6014291.pdf
VNQ5027AKTR-E VNQ5027AKTR-E --- Схемы управления питанием ---
2CRBW36 2CRBW36 --- Электронное оборудование ---
TX2SS-LT-9V-X TX2SS-LT-9V-X --- Реле и модули ввода и вывода ---
LH28F800BVE-TTL10 LH28F800BVE-TTL10 --- Разное ---