NCV1413BDR2G

NCV1413BDR2G
Кол-во:
Заказать
Доставка: 2-3 недели
Название: NCV1413BDR2G
Описание: Transistors Darlington High Voltage High Current Darlington
Производитель: ON Semiconductor
Спецификация:
Детальное описание компонента NCV1413BDR2G
Конфигурация Array 7 Полярность транзистора NPN
Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. 50 V Максимальный постоянный ток коллектора 0.5 A
Максимальная рабочая температура + 125 C Вид монтажа SMD/SMT
Упаковка / блок SOIC-16 Упаковка Reel
Коллектор постоянного тока/Мин. коэфф. усиления транзистора (hfe) 1000 at 350 mA at 2 V Минимальная рабочая температура - 40 C
Размер фабричной упаковки 2500

Популярные товары:

Изображение Название Производитель Описание Спецификация Кол-во  
LMF100CIWM LMF100CIWM National Semiconductor (TI) Active Filter 9261581.pdf
ALS30A154NT063 ALS30A154NT063 --- Конденсаторы ---
162GB16E1811SZ416 162GB16E1811SZ416 --- Цилиндрические разъемы ---
3355/37 3355/37 --- Плоский кабель ---
545 BK078 545 BK078 --- Многожильные кабели и кабели парной скрутки ---