MJD112-1G

MJD112-1G
Кол-во:
Заказать
Доставка: 2-3 недели
Название: MJD112-1G
Описание: Transistors Darlington 2A 100V Bipolar Power NPN
Производитель: ON Semiconductor
Спецификация:
Детальное описание компонента MJD112-1G
Конфигурация Single Полярность транзистора NPN
Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. 100 V Напряжение эмиттер-база (VEBO) 5 V
Напряжение коллектор-база (VCBO) 100 V Максимальный постоянный ток коллектора 2 A
Максимальный ток отсечки коллектора 20 uA Рассеяние мощности 20 W
Максимальная рабочая температура + 150 C Вид монтажа SMD/SMT
Упаковка / блок TO-252-3 (DPAK) Упаковка Tube
Непрерывный коллекторный ток 2 A Коллектор постоянного тока/Мин. коэфф. усиления транзистора (hfe) 200, 500, 1000
Минимальная рабочая температура - 65 C Размер фабричной упаковки 75

Популярные товары:

Изображение Название Производитель Описание Спецификация Кол-во  
LCM-H01602DTR/E-A LCM-H01602DTR/E-A Lumex Модули сивольных ЖК-дисплеев и комплектующие 16x2 CHAR LCD MOD Reflective ---
CY29948AXIT CY29948AXIT Cypress Semiconductor Синхронизаторы и распределители тактового сигнала 2.5V or /3.3V 200MHz IND ---
DS1267E-10 DS1267E-10 Maxim Integrated Products ИС, цифровые потенциометры 5200056.pdf
25LC160AT-I/SNG 25LC160AT-I/SNG --- Микросхемы памяти ---
LC4064B-5TN44C LC4064B-5TN44C --- Программируемые логические интегральные схемы ---