MJD112-1G

MJD112-1G
Кол-во:
Заказать
Доставка: 2-3 недели
Название: MJD112-1G
Описание: Transistors Darlington 2A 100V Bipolar Power NPN
Производитель: ON Semiconductor
Спецификация:
Детальное описание компонента MJD112-1G
Конфигурация Single Полярность транзистора NPN
Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. 100 V Напряжение эмиттер-база (VEBO) 5 V
Напряжение коллектор-база (VCBO) 100 V Максимальный постоянный ток коллектора 2 A
Максимальный ток отсечки коллектора 20 uA Рассеяние мощности 20 W
Максимальная рабочая температура + 150 C Вид монтажа SMD/SMT
Упаковка / блок TO-252-3 (DPAK) Упаковка Tube
Непрерывный коллекторный ток 2 A Коллектор постоянного тока/Мин. коэфф. усиления транзистора (hfe) 200, 500, 1000
Минимальная рабочая температура - 65 C Размер фабричной упаковки 75

Популярные товары:

Изображение Название Производитель Описание Спецификация Кол-во  
ADS61B49EVM ADS61B49EVM Texas Instruments Средства разработки интегральных схем (ИС) преобразования данных ADS61B49 Eval Mod 9626823.pdf
CY3280-22X45 CY3280-22X45 Cypress Semiconductor Средства разработки тактильных датчиков Universal Capsense Control Board ---
ANT-418-CW-QW ANT-418-CW-QW Linx Technologies Антенны RPSMA Connectorized 1/4 Wave Whip 418MHz 259071.pdf259072.pdf
ISO7421EDR ISO7421EDR Texas Instruments ИС, развязывающий интерфейс Lo-Pwr Dual Channel Dig Iso 7729315.pdf
FM25VRN10-G5TR FM25VRN10-G5TR --- Микросхемы памяти ---