MJD112-1G

MJD112-1G
Кол-во:
Заказать
Доставка: 2-3 недели
Название: MJD112-1G
Описание: Transistors Darlington 2A 100V Bipolar Power NPN
Производитель: ON Semiconductor
Спецификация:
Детальное описание компонента MJD112-1G
Конфигурация Single Полярность транзистора NPN
Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. 100 V Напряжение эмиттер-база (VEBO) 5 V
Напряжение коллектор-база (VCBO) 100 V Максимальный постоянный ток коллектора 2 A
Максимальный ток отсечки коллектора 20 uA Рассеяние мощности 20 W
Максимальная рабочая температура + 150 C Вид монтажа SMD/SMT
Упаковка / блок TO-252-3 (DPAK) Упаковка Tube
Непрерывный коллекторный ток 2 A Коллектор постоянного тока/Мин. коэфф. усиления транзистора (hfe) 200, 500, 1000
Минимальная рабочая температура - 65 C Размер фабричной упаковки 75

Популярные товары:

Изображение Название Производитель Описание Спецификация Кол-во  
APS18P6A032G-CTWL APS18P6A032G-CTWL Apacer Твердотельные накопители (SSD) SAFD18PET SATA FLASH DRIVE SLC 32GB EXT 1767867.pdf
74HCT00DB 74HCT00DB NXP Semiconductors Вентили (И / И НЕ / ИЛИ / ИЛИ НЕ) QUAD 2-INPUT NAND GATE 8364208.pdf
LTV-816M LTV-816M --- Оптопары и оптроны ---
MA18680FBB MA18680FBB --- Конденсаторы ---
CS-37S1C CS-37S1C --- Реле и модули ввода и вывода ---