MJD122G

MJD122G
Кол-во:
Заказать
Доставка: 2-3 недели
Название: MJD122G
Описание: Transistors Darlington 8A 100V Bipolar Power NPN
Производитель: ON Semiconductor
Спецификация: 9400257.pdf
Детальное описание компонента MJD122G
Конфигурация Single Полярность транзистора NPN
Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. 100 V Напряжение эмиттер-база (VEBO) 5 V
Напряжение коллектор-база (VCBO) 100 V Максимальный постоянный ток коллектора 8 A
Максимальный ток отсечки коллектора 10 uA Рассеяние мощности 20 W
Максимальная рабочая температура + 150 C Вид монтажа SMD/SMT
Упаковка / блок TO-252-3 (DPAK) Упаковка Tube
Непрерывный коллекторный ток 8 A Коллектор постоянного тока/Мин. коэфф. усиления транзистора (hfe) 1000
Минимальная рабочая температура - 65 C Размер фабричной упаковки 75

Популярные товары:

Изображение Название Производитель Описание Спецификация Кол-во  
RS1GHE3/5AT RS1GHE3/5AT Vishay Semiconductors Диоды (общего назначения, силовые, импульсные) 400 Volt 1.0A 150ns 30 Amp IFSM 3702788.pdf
BDW63B BDW63B Bourns Transistors Darlington 60W 6A NPN 9468950.pdf
MAX5165NCCM+T MAX5165NCCM+T --- Микросхемы усилителей ---
SFH617A-3X016 SFH617A-3X016 --- Оптопары и оптроны ---
LZP-00U600 LZP-00U600 --- Светодиоды высокой мощности ---