MJD122G

MJD122G
Кол-во:
Заказать
Доставка: 2-3 недели
Название: MJD122G
Описание: Transistors Darlington 8A 100V Bipolar Power NPN
Производитель: ON Semiconductor
Спецификация: 9400257.pdf
Детальное описание компонента MJD122G
Конфигурация Single Полярность транзистора NPN
Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. 100 V Напряжение эмиттер-база (VEBO) 5 V
Напряжение коллектор-база (VCBO) 100 V Максимальный постоянный ток коллектора 8 A
Максимальный ток отсечки коллектора 10 uA Рассеяние мощности 20 W
Максимальная рабочая температура + 150 C Вид монтажа SMD/SMT
Упаковка / блок TO-252-3 (DPAK) Упаковка Tube
Непрерывный коллекторный ток 8 A Коллектор постоянного тока/Мин. коэфф. усиления транзистора (hfe) 1000
Минимальная рабочая температура - 65 C Размер фабричной упаковки 75

Популярные товары:

Изображение Название Производитель Описание Спецификация Кол-во  
HSC-AT5S-A05A(40) HSC-AT5S-A05A(40) Hirose Connector Волоконно-оптические соединители FIBER OPTIC CONN SC TYP ATTENUATOR ---
M68DIP8DFN M68DIP8DFN Freescale Semiconductor Панели и адаптеры DIP-TO-DFN 8-PIN FOOTPRI ---
BAS16,215 BAS16,215 NXP Semiconductors Диоды (общего назначения, силовые, импульсные) SW 75V 215MA HS 3465740.pdf
MAX3221EEAE+G071 MAX3221EEAE+G071 Maxim Integrated Products ИС, интерфейс RS-232 1uA 3-5.5V Tcvr w/AutoShutdown 5338162.pdf
564-0100-320F 564-0100-320F --- Светодиодная индикация ---