MJD122G

MJD122G
Кол-во:
Заказать
Доставка: 2-3 недели
Название: MJD122G
Описание: Transistors Darlington 8A 100V Bipolar Power NPN
Производитель: ON Semiconductor
Спецификация: 9400257.pdf
Детальное описание компонента MJD122G
Конфигурация Single Полярность транзистора NPN
Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. 100 V Напряжение эмиттер-база (VEBO) 5 V
Напряжение коллектор-база (VCBO) 100 V Максимальный постоянный ток коллектора 8 A
Максимальный ток отсечки коллектора 10 uA Рассеяние мощности 20 W
Максимальная рабочая температура + 150 C Вид монтажа SMD/SMT
Упаковка / блок TO-252-3 (DPAK) Упаковка Tube
Непрерывный коллекторный ток 8 A Коллектор постоянного тока/Мин. коэфф. усиления транзистора (hfe) 1000
Минимальная рабочая температура - 65 C Размер фабричной упаковки 75

Популярные товары:

Изображение Название Производитель Описание Спецификация Кол-во  
FM30C256-STR FM30C256-STR --- Микросхемы памяти ---
NTHS0805N01N6802KE NTHS0805N01N6802KE --- Термисторы – отрицательный температурный коэффициент ---
911-310 911-310 --- Светодиодная индикация ---
R50RGB-F-0160 R50RGB-F-0160 --- Светодиодная индикация ---
XRCWHT-L1-R250-005B4 XRCWHT-L1-R250-005B4 --- Светодиоды высокой мощности ---