MJD122G

MJD122G
Кол-во:
Заказать
Доставка: 2-3 недели
Название: MJD122G
Описание: Transistors Darlington 8A 100V Bipolar Power NPN
Производитель: ON Semiconductor
Спецификация: 9400257.pdf
Детальное описание компонента MJD122G
Конфигурация Single Полярность транзистора NPN
Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. 100 V Напряжение эмиттер-база (VEBO) 5 V
Напряжение коллектор-база (VCBO) 100 V Максимальный постоянный ток коллектора 8 A
Максимальный ток отсечки коллектора 10 uA Рассеяние мощности 20 W
Максимальная рабочая температура + 150 C Вид монтажа SMD/SMT
Упаковка / блок TO-252-3 (DPAK) Упаковка Tube
Непрерывный коллекторный ток 8 A Коллектор постоянного тока/Мин. коэфф. усиления транзистора (hfe) 1000
Минимальная рабочая температура - 65 C Размер фабричной упаковки 75

Популярные товары:

Изображение Название Производитель Описание Спецификация Кол-во  
74AHCT02BQ,115 74AHCT02BQ,115 NXP Semiconductors Вентили (И / И НЕ / ИЛИ / ИЛИ НЕ) QUAD 2-INPUT NOR 8130257.pdf
SN74ALS133DR SN74ALS133DR Texas Instruments Вентили (И / И НЕ / ИЛИ / ИЛИ НЕ) 13-Input Positive NAND Gates 8281866.pdf
19-213UYC/S530-A2/TR8 19-213UYC/S530-A2/TR8 --- Светодиодная индикация ---
74OL6000W 74OL6000W --- Оптопары и оптроны ---
B39721B9036E910 B39721B9036E910 --- Формирование сигнала ---