MJD117T4G

MJD117T4G
Кол-во:
Заказать
Доставка: 2-3 недели
Название: MJD117T4G
Описание: Transistors Darlington 2A 100V Bipolar Power PNP
Производитель: ON Semiconductor
Спецификация:
Детальное описание компонента MJD117T4G
Конфигурация Single Полярность транзистора PNP
Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. 100 V Напряжение эмиттер-база (VEBO) 5 V
Напряжение коллектор-база (VCBO) 100 V Максимальный постоянный ток коллектора 2 A
Максимальный ток отсечки коллектора 20 uA Рассеяние мощности 20 W
Максимальная рабочая температура + 150 C Вид монтажа SMD/SMT
Упаковка / блок TO-252-3 (DPAK) Упаковка Reel
Непрерывный коллекторный ток 2 A Коллектор постоянного тока/Мин. коэфф. усиления транзистора (hfe) 1000
Минимальная рабочая температура - 65 C Размер фабричной упаковки 2500

Популярные товары:

Изображение Название Производитель Описание Спецификация Кол-во  
Q4040K7 Q4040K7 Littelfuse Триаки 400V 40A 243700.pdf
PDTA114TT,215 PDTA114TT,215 NXP Semiconductors Transistors Switching (Resistor Biased) TRANS RET TAPE-7 9490484.pdf
TC7SET32FUT5LFT TC7SET32FUT5LFT Toshiba Вентили (И / И НЕ / ИЛИ / ИЛИ НЕ) x34 VHC-TTL-OR ---
597-7761-202F 597-7761-202F --- Светодиодная индикация ---
FTWZR FTWZR --- Инструменты ---