Q2016LH3
|
Кол-во:
Заказать Доставка: 2-3 недели
|
||
| Название: | Q2016LH3 | ||
| Описание: | Триаки 200V 16A 20-20-20mA | ||
| Производитель: | Littelfuse | ||
| Спецификация: | 247273.pdf | ||
| Детальное описание компонента Q2016LH3 | |||
| Номинальное периодическое напряжение в закрытом состоянии (VDRM) | 200 V | Среднеквадратичный ток в открытом состоянии (It RMS) | 16 A |
|---|---|---|---|
| Ток утечки в закрытом состоянии @ VDRM IDRM | 0.05 mA | Отпирающее напряжение управления (Vgt) | 1.5 V |
| Отпирающий ток управления (Igt) | 20 mA | Удерживающий ток (Ih, макс.) | 35 mA |
| Падение напряжения в прямом направлении | 1.6 V | Вид монтажа | Through Hole |
| Упаковка / блок | TO-220 | Упаковка | Bulk |
| Максимальная рабочая температура | + 125 C | Минимальная рабочая температура | - 40 C |
| Повторяющееся максимальное прямое запирающее напряжение | 200 V | Размер фабричной упаковки | 500 |
Популярные товары:
| Изображение | Название | Производитель | Описание | Спецификация | Кол-во | |
|---|---|---|---|---|---|---|
 |
BCV46,215 | NXP Semiconductors | Transistors Darlington TRANS DARLINGTON | 9403225.pdf |
|
|
 |
MJE803G | ON Semiconductor | Transistors Darlington 4A 80V Bipolar Power NPN | --- |
|
|
 |
CAT24C256ZD2IGT2 | --- | Микросхемы памяти | --- |
|
|
|
|
IS62WV25616BLL-55TI | --- | Микросхемы памяти | --- |
|
|
|
|
LA E67B-V1V2-24-Z | --- | Светодиодная индикация | --- |
|