ACT108-600E,126

ACT108-600E,126
Кол-во:
Заказать
Доставка: 2-3 недели
Название: ACT108-600E,126
Описание: Триаки TVS THYRISTOR 650V
Производитель: NXP Semiconductors
Спецификация: 224886.pdf
Детальное описание компонента ACT108-600E,126
Номинальное периодическое напряжение в закрытом состоянии (VDRM) 600 V Среднеквадратичный ток в открытом состоянии (It RMS) 0.8 A
Ток утечки в закрытом состоянии @ VDRM IDRM 0.2 mA Отпирающее напряжение управления (Vgt) 1 V
Отпирающий ток управления (Igt) 10 mA Удерживающий ток (Ih, макс.) 25 mA
Падение напряжения в прямом направлении 1.3 V Вид монтажа Through Hole
Упаковка / блок TO-92 Упаковка Reel
Максимальная рабочая температура + 125 C Минимальная рабочая температура - 40 C
Повторяющееся максимальное прямое запирающее напряжение 600 V

Популярные товары:

Изображение Название Производитель Описание Спецификация Кол-во  
EVB-USB2240-IND EVB-USB2240-IND SMSC Interface Development Tools Eval BRD-USB2240 9720603.pdf
IXGQ96N30TCD1 IXGQ96N30TCD1 Ixys Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) TRENCH IGBT W/FRED 320V 250A ---
SN74ALS323DW SN74ALS323DW Texas Instruments Регистры сдвига счетчика 8-Bit Univ Shift/ Storage Registers 2515748.pdf
TXS4555RUTR TXS4555RUTR Texas Instruments Трансляция - уровни напряжения SIM Card Translator ---
S-8521C31MC-BTQT2G S-8521C31MC-BTQT2G --- Схемы управления питанием ---