BTB16-600BW3G
|
Кол-во:
Заказать Доставка: 2-3 недели
|
||
| Название: | BTB16-600BW3G | ||
| Описание: | Триаки 16A 50mA 600V IGT 3 QUAD | ||
| Производитель: | ON Semiconductor | ||
| Спецификация: | |||
| Детальное описание компонента BTB16-600BW3G | |||
| Номинальное периодическое напряжение в закрытом состоянии (VDRM) | 600 V | Ток включения (IBO), макс. | 170 A |
|---|---|---|---|
| Ток утечки в закрытом состоянии @ VDRM IDRM | 0.005 mA | Отпирающее напряжение управления (Vgt) | 1.7 V |
| Отпирающий ток управления (Igt) | 50 mA | Удерживающий ток (Ih, макс.) | 60 mA |
| Падение напряжения в прямом направлении | 1.55 V | Вид монтажа | Through Hole |
| Упаковка / блок | TO-220AB | Упаковка | Rail |
| Максимальная рабочая температура | + 125 C | Минимальная рабочая температура | - 40 C |
| Повторяющееся максимальное прямое запирающее напряжение | 600 V | Размер фабричной упаковки | 50 |
Популярные товары:
| Изображение | Название | Производитель | Описание | Спецификация | Кол-во | |
|---|---|---|---|---|---|---|
 |
24C00-I/SNG | --- | Микросхемы памяти | --- |
|
|
|
|
S-80833CLUA-B6S-T2 | --- | Схемы управления питанием | --- |
|
|
|
|
S-875030EUP-AJBT2G | --- | Схемы управления питанием | --- |
|
|
|
|
TQM6M5014 | --- | RF Semiconductors | --- |
|
|
|
|
DG417LDJ | --- | Коммутационные микросхемы | --- |
|